하이닉스반도체는 D램 S램 等에 이은 次世代 記憶素子 Fe램의 1메가 製品 開發에 成功했다고 3日 發表했다.
Fe램은 全員이 끊겨도 貯藏한 데이터를 잃지 않는 非揮發性 메모리로 旣存 非揮發性 記憶素子人 플래시메모리보다 情報記錄 速度가 1000倍 以上 빠른 것이 特徵. 하이닉스 關係者는 “Fe램은 次世代 移動通信機器와 스마트 카드 等에 쓰인다”며 “이番에 1메가 製品이 開發됨에 따라 大容量 製品의 商品化 時期를 앞당길 수 있게 됐다”고 說明했다.
<하임숙기자>artemes@donga.com
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