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모토로라 次世代 半導體 開發…處理速度 35倍 向上|東亞日報

모토로라 次世代 半導體 開發…處理速度 35倍 向上

  • 入力 2001年 9月 5日 19時 01分


모토로라는 30年間 世界 半導體 業界의 꿈이었던 실리콘과 갈륨 砒化物을 結合하는 데 成功, 旣存 製品보다 處理 速度가 35倍 빠른 次世代 半導體(寫眞)를 開發했다고 4日 發表했다.

모토로라는 來年 中 關聯 試製品을 公開하고 2003年부터 半導體를 本格 市販할 수 있을 것이라고 덧붙였다.

이番에 開發된 半導體는 處理 容量은 增加하고 速度도 빨라져 携帶電話와 같은 無線 電子製品이나 DVD 等 여러 分野에 適用될 수 있다고 모토로라는 밝혔다. 世界 半導體 業界는 그동안 半導體 處理速度 改善을 위해 갈륨 砒化物을 使用하기를 希望해왔지만 워낙 값이 비싸 本格的인 使用을 躊躇해왔다.

專門家들은 모토로라가 開發한 技術이 次世代 半導體 生産을 本格 始動하는 契機가 될 것으로 評價하고 있다. <숌버그(일리노이)afp연합>

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