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(
2012年 11月
)
|
抵抗 메모리
(
Resistive RAM: RRAM 또는 ReRAM
)는 次世代
非揮發性 메모리
의 한 種類이다.
RRAM은
不導體
物質에 充分히 높은 電壓을 加하면 電流가 흐르는 通路가 生成되어
抵抗
이 낮아지는 現象을 利用한 것이다. 一旦 通路가 生成되면 適當한 電壓을 加하여 쉽게 없애거나 다시 生成할 수 있다.
페로브스카이트
(perovskite)나
轉移金屬
酸化物,
칼코게나이드
等의 다양한 物質을 利用한 RRAM이 開發되고 있다.
