動的 램

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動的 램 (動的 RAM, 醇化語 : 動的 막기억장치) 또는 디램 (DRAM, Dynamic random-access memory)은 任意 接近 記憶 裝置 (random-access memory)의 한 種類로 情報 를 構成하는 個個의 비트 를 各其 分離된 蓄電器 (capacitor)에 貯藏하는 記憶 裝置 이다. 各各의 蓄電器가 담고 있는 電子 의 數에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만 結局 蓄電器가 前者를 漏電하므로 記憶된 情報를 잃게 된다. 이를 防止하기 위해 記憶 裝置의 內容을 一定 時間마다 再生시켜야 되는 것을 일컬어 ‘動的(dynamic)’이란 名稱이 주어졌다. 情報를 維持하려면 持續的인 電氣 供給이 必要하기 때문에 DRAM은 揮發性 記憶 裝置(volatile memory)에 屬한다.

歷史 [ 編輯 ]

第2次 世界 大戰 期間 中 블레츨리 파크 에서 使用된, 코드名 Aquarius라는 暗號 解毒 머신은 固定 配線 形態의 動的 메모리를 裝着하였다.

1964年, IBM에서 일하던 아놀드 파버 와 有進(Eugene Schlig)은 트랜지스터 게이트와 터널 다이오드 래치 를 利用하여 固定 配線 形態의 메모리 셀 을 만들었다. 래치를 두 個의 트랜지스터와 두 個의 레지스터로 代替하였으며, 이 構成은 Farber-Schlig 셀로 부른다. 1965年 IBM에서 벤자민 아구스타와 그의 팀은 이 Farber-Schlig 셀을 基盤으爐韓 16비트 실리콘 메모리 칩을 만들었으며, 여기에 80個의 트랜지스터, 64個의 레지스터, 4個의 다이오드가 包含되어 있었다. 1966年 로버트 H. 데나드 博士가 IBM 왓슨 硏究所 에서 DRAM을 發明하였다. 그는 1968年 3,387,286 美國 特許를 받았다.

一般的인 디램의 形式 [ 編輯 ]

一般 디램 構成 形式 [ 編輯 ]

一般 디램 構成

標準 모듈은 다음과 같다:

  • DRAM 칩 (IC)
    • 듀얼 인라인 패키지 ( DIP )
  • 디램 메모리 모듈
    • 싱글 인라인 패키지 ( SIPP )
    • 싱글 인라인 메모리 모듈 ( SIMM )
    • 듀얼 인라인 메모리 모듈 ( DIMM )
    • 램버스 인라인 메모리 모듈 ( RIMM ), 技術的으로 DIMM 이지만 特許 슬롯 때문에 RIMM으로 불린다.
    • 小型 設計 DIMM ( SO-DIMM ), 一般 DIMM의 約 折半 크기이며 노트북, 푸트프린트 PC(예: 미니 ITX 메인보드), 업그레이드 可能 프린터, "라우터와 같은" 네트워킹 하드웨어 等에 쓰임. 이에 따른 버전은 다음과 같다:
      • 72 핀 (32 비트)
      • 144 핀 (64 비트)
      • 168 핀 (64 비트)
      • 200 핀 (72 비트)
    • 小型 設計 RIMM (SO-RIMM). RIMM의 小型 버전이며 노트북에 쓰인다. 技術的으로 SO-DIMM이지만 特許 슬롯 때문에 SO-RIMM로 불린다.
  • 스택(stacked) / 넌스택(non-stacked) 램 모듈
    • 스택 램 칩은 서로가 붙어 있는 2 個의 램 回路板을 使用한다. 더 넓은 모듈을 使用할 수 있게 해 주어 (512MB / 1Gig SO-DIMM과 같은) 낮은 密度의 回路板을 使用하여 製造할 수 있게 해 준다. 이렇게 接着된 針 모듈은 더 많은 電力을 消費한다.

一般 디램 모듈 [ 編輯 ]

  1. DIP 16 핀 (디램 칩, 普通 FPRAM 移轉)
  2. SIPP (普通 FPRAM )
  3. SIMM 30 핀 (普通 FPRAM)
  4. SIMM 72 핀 (普通FPRAM)
    1. EDO 普通 60n 以下부터
  5. DIMM 168 핀 ( SDRAM )
  6. DIMM 184 핀 ( DDR SDRAM )
  7. DIMM 240 핀 ( DDR2 SDRAM / DDR3 SDRAM )

多邊化 [ 編輯 ]

非同期 디램 [ 編輯 ]

  • RAS (Row Address Strobe)
  • CAS (Column Address Strobe)
  • WE (Write Enable)
  • OE

비디오 디램 (VRAM) [ 編輯 ]

VRAM은 듀얼 포트 된 버전의 디램으로 移轉에 비트맵 (프레임 버퍼)를 그래픽 어댑터 안에서 使用하기도 했다.

高速 페이지 모드 디램 (FPM) [ 編輯 ]

高速 페이지 모드 디램은 FPM DRAM, 페이지 모드 DRAM, 高速 페이지 모드 메모리, 또는 페이지 모드 메모리라고도 한다.

  • 政敵 熱(Static column)
  • 니블 方式(Nibble mode)

RAS 리프레시 移轉 CAS [ 編輯 ]

CAS(클래식 動機 디램)은 各 열을 여는 것을 되풀이하며 리프레시된다.

윈도 RAM (WRAM) [ 編輯 ]

윈도 램 또는 WRAM은 半導體 컴퓨터 메모리에서 사라진 形式이며 그래픽 어댑터의 비디오 램(VRAM)을 代替하기 위해 設計되었다. 三星 에 依해 開發되었으며 마이크론 테크놀로지 가 市場化하였으나 SDRAM 과 SGRAM 에게 地位를 뺏기기까지 市場 壽命이 짧았다.

擴張 데이터 出力 (EDO) 디램 [ 編輯 ]

EDO 디램은 새로운 接近DD, 高速 페이지 모드 디램은 1993年에 EDO 디램으로 代替되었다.

버스트 EDO (BEDO) 디램 [ 編輯 ]

버스트 EDO 디램은 最大 5-1-1-1을 위한 4 個의 메모리 住所를 한 버스트 안에 處理할 수 있었다. 이렇게 EDO 메모리의 最適化된 設計를 거쳐 追加的인 3 個의 클럭을 節約할 수 있었다.

멀티뱅크 디램 (MDRAM) [ 編輯 ]

멀티뱅크 램은 2L 캐시 메모리에 對한 메인 메모리를 위한 인터리빙 技術로 SRAM 보다 低廉하고 더 빠르다.

動機 그래픽 램 (SGRAM) [ 編輯 ]

SGRAM은 그래픽 어댑터를 爲한 SDRAM에 特化된 形式이다.

動機 動的 램 (SDRAM) [ 編輯 ]

싱글 데이터 레이트 (SDR) SDRAM 은 디램의 同期化 形式이다.

다이렉트 램버스 디램 (DRDRAM) [ 編輯 ]

仔細한 것은 다이렉트 램버스 디램 을 參考하라.

더블 데이터 레이트 (DDR) SDRAM [ 編輯 ]

더블 데이터 레이트 (DDR) SDRAM 은 SDRAM 보다 나중에 나온 開發版으로 2000年부터 PC 메모리에 쓰이기 始作했다. DDR2 SDRAM 은 元來 主로 더 높은 클럭 速度와 더 깊은 파이프라이닝을 提供한 DDR SDRAM에 若干의 向上(産業 標準 싱글 코어 CPU 基盤)을 보였다. 그러나 2006年에 多衆 코어 CPU가 빠르게 받아들여지자, 産業에서는 DDR2街 旣存의 物理的 DDR-SDRAM 標準에 革命을 일으킬 것이라고 내다 보았다. 게다가 2007年 DDR3 SDRAM 가 開發되면서 DDR3街 "制約的인 DDR/DDR2"을 빠르게 代替할 것으로 豫測하고 있다.

類似 政敵(Pseudostatic) 램 (PSRAM) [ 編輯 ]

PSRAM 또는 PSDRAM은 內臟 리프레시와 住所 制御 回路가 있는 動的 램으로 政敵 RAM (SRAM)과 비슷하게 動作한다. 디램의 높은 密度와 SRAM의 容易性이라는 2 個의 長點을 합친 것이다.

1T 디램 [ 編輯 ]

여기에 敍述된 다른 것들과 달리, 1T 디램은 實際로 디램 비트 셀을 다르게 構成하고 있다. 1T 디램은 ZRAM 이라는 이름으로 商用化되어 있다. 클래식 單一 트랜지스터/單一 蓄電器 (1T/1C) 디램 셀이 가끔 "1T 디램"으로 일컬을 수도 있으니 注意할 것.

RLDRAM [ 編輯 ]

RLSDRAM(減少된 레이턴視 디램)은 높은 帶域너비와 더불어 速度가 빠른, 랜덤 액세스를 提供하는 DDR SDRAM이다. RLDRAM은 主로 네트워크 應用 프로그램이나 캐시 應用 프로그램에 쓰일 것을 念頭에 두고 設計되었다.

같이 보기 [ 編輯 ]

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