PRAM

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피램 (또는 相變化 메모리 , Phase-change Memory , PCM, PCME, PRAM, PCRAM, C-RAM)은 非揮發性 메모리 의 한 種類이며, 플래시 메모리 의 非揮發性과, RAM 의 빠른 速度의 長點을 모두 가지고 있는 次世代 메모리 半導體이다. 피램은 熱을 加함에 따라 非晶質 狀態와 結晶質 狀態로 바뀌는 칼코게나이드 琉璃의 獨特한 特性을 利用하여 데이터를 貯藏한다.

PRAM은 칼코게나이드 琉璃의 獨特한 特性을 活用한다. PCM에서는 一般的으로 窒化 티타늄으로 만들어진 發熱體에 電流 를 흘려 發生하는 熱을 使用하여 琉璃를 빠르게 加熱하고 急冷하여 非晶質로 만들거나 結晶化 溫度 範圍에서 一定 時間 維持하여 琉璃를 非晶質로 만들어 結晶 狀態로 바꾼다. [1] PCM은 또한 多數의 別個의 中間 狀態를 達成할 수 있는 能力을 가지고 있어 單一 셀에 여러 비트를 保有할 수 있지만 [2] 이러한 方式으로 셀을 프로그래밍하는 데 어려움이 있어 이러한 機能을 다른 技術(特히 플래시)에서 同一 機能으로 具現하는 것이 不可能했다.

PCM에 對한 最近 硏究는 相變化 物質인 Ge2Sb2Te5(GST)에 對한 實行 可能한 物質 代案을 찾는 方向으로 進行되어 엇갈린 成功을 거두었다. 다른 硏究에서는 레이저 펄스로 게르마늄 原子의 배위 狀態를 變更함으로써 卑劣적 位相 變化를 達成하기 위한 GeTe-Sb2Te3 超格子의 開發에 重點을 두었다. 이 새로운 IPCM(Interfacial Phase-Change Memory)은 많은 成功을 거두었으며 繼續해서 活潑하게 硏究되고 있다. [3]

레온 雛兒(Leon Chua)는 PCM을 包含한 모든 2端子 非揮發性 메모리 裝置가 멤리스터로 看做되어야 한다고 主張했다. [4] HP 硏究所의 스탠 윌리엄스(Stan Williams)도 PCM이 멤리스터로 看做되어야 한다고 主張했다. [5] 그러나 이 用語는 挑戰을 받아 왔으며 物理的으로 實現 可能한 裝置에 對한 멤리스터 理論의 潛在的 適用 可能性은 疑問의 餘地가 있다. [6] [7]

같이 보기 [ 編輯 ]

各州 [ 編輯 ]

  1. ↑ Le Gallo, Manuel; Sebastian, Abu (2020年 3月 30日). “An overview of phase-change memory device physics”. 《Journal of Physics D: Applied Physics》 (英語) 53 (21): 213002. Bibcode : 2020JPhD...53u3002L . doi : 10.1088/1361-6463/ab7794 . ISSN   0022-3727 . S2CID   213023359 .  
  2. ↑ Burr, Geoffrey W.; BrightSky, Matthew J.; Sebastian, Abu; Cheng, Huai-Yu; Wu, Jau-Yi; Kim, Sangbum; Sosa, Norma E.; Papandreou, Nikolaos; Lung, Hsiang-Lan; Pozidis, Haralampos; Eleftheriou, Evangelos (June 2016). “Recent Progress in Phase-Change Memory Technology” . 《IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems》 6 (2): 146?162. Bibcode : 2016IJEST...6..146B . doi : 10.1109/JETCAS.2016.2547718 . ISSN   2156-3357 . S2CID   26729693 .  
  3. ↑ Simpson, R.E.; P. Fons; A. V. Kolobov; T. Fukaya; 外. (July 2011). “Interfacial phase-change memory”. 《Nature Nanotechnology》 6 (8): 501?5. Bibcode : 2011NatNa...6..501S . doi : 10.1038/nnano.2011.96 . PMID   21725305 . S2CID   6684244 .  
  4. ↑ Chua, L. O. (2011), “Resistance switching memories are memristors”, 《Applied Physics A》 102 (4): 765?783, Bibcode : 2011ApPhA.102..765C , doi : 10.1007/s00339-011-6264-9  
  5. ↑ Mellor, Chris (2011年 10月 10日), “HP and Hynix to produce the memristor goods by 2013” , 《The Register》 , 2012年 3月 7日에 確認함  
  6. ↑ Meuffels, P.; Soni, R. (2012). “Fundamental Issues and Problems in the Realization of Memristors”. arXiv : 1207.7319 [ cond-mat.mes-hall ].  
  7. ↑ Di Ventra, Massimiliano; Pershin, Yuriy V. (2013). “On the physical properties of memristive, memcapacitive and meminductive systems”. 《Nanotechnology》 24 (25): 255201. arXiv : 1302.7063 . Bibcode : 2013Nanot..24y5201D . CiteSeerX   10.1.1.745.8657 . doi : 10.1088/0957-4484/24/25/255201 . PMID   23708238 . S2CID   14892809 .  
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