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政敵 램 (靜的 RAM, Static RAM) 또는 에스램 (SRAM)은 半導體 記憶 裝置 의 한 種類이다. 週期的으로 內容을 更新해 주어야 하는 디램 (DRAM, 動的 램)과는 달리 記憶 裝置에 全員이 供給되는 한 그 內容이 繼續 保存된다. SRAM은 任意 接近 記憶 裝置( 램 , random access memory)이므로 데이터의 쓰고 읽기가 이루어지는 住所와 關係없이 入出力에 걸리는 時間이 一定하다. SRAM은 DRAM의 一種인 SDRAM 과는 全혀 다른 記憶 素子이므로 서로 區別되어야 한다.

SRAM에서 各各의 비트 들은 네 個의 트랜지스터 로 이루어진 두 雙의 인버터 에 貯藏된다. 두 雙의 인버터가 0과 1의 값을 安定된 狀態로 維持하고 두 個의 接近 트랜지스터가 읽기와 쓰기 機能을 遂行한다. 따라서 한 個의 비트를 貯藏하기 위해 一般的으로 여섯 個의 트랜지스터를 必要로 한다.

오른쪽 그림에서도 보이는 것처럼 SRAM은 回路의 對稱 構造로 인해 DRAM보다 훨씬 빠른 入出力을 可能하게 한다. 또한, 메모리 住所에 接近할 때 上位 비트와 下位 비트 順序로 두 番 接近해야 하는 DRAM과 달리 SRAM은 한番에 接近할 수 있는 長點이 있다.

SRAM의 種類 [ 編輯 ]

트랜지스터 種類에 따른 區分 [ 編輯 ]

• 陽極 SRAM (bipolar SRAM, 現在는 거의 使用되지 않는다. 全力을 많이 消耗하지만 매우 빠르다.)
• CMOS SRAM (가장 흔한 種類)

機能에 따른 區分 [ 編輯 ]

• 非同期 SRAM (클록 周波數에 獨立的으로 作動한다)
• 同期式 SRAM (데이터 入出力이 클록 周波數에 따라 이루어진다)

特徵에 따른 區分 [ 編輯 ]

• ZBT (제로 버스 턴어라운드:zero bus turnaround)
• 싱크버스트 (syncBurst SRAM 또는 動機 버스트 SRAM)

SRAM의 動作 [ 編輯 ]

• 待機
• 읽기
• 쓰기
• 버스 動作

SRAM의 應用 [ 編輯 ]

高速 SRAM은 DRAM 보다 高速이므로, CPU 內部의 記憶 裝置( 파이프라인 과 프로세서 레지스터 , CPU 캐시 等)와 같은 速度를 重要視하는 部分에서 많이 使用된다. 外部 캐시 나 DRAM 버스트 모드 回로, 디지털 信號處理 回로 等에서도 使用된다.

低速의 低容量 SRAM은 배터리로 作動하는 백업 메모리처럼 低電力과 낮은 費用이 重要한 部分에서 많이 使用된다. SRAM은 DRAM에 비해 集積度가 낮기 때문에 (面積에 비해 貯藏할 수 있는 비트 數가 적다) PC의 메인 메모리와 같은 雇傭量의 값싼 記憶 裝置에는 適當하지 않다.

SRAM의 電力 消耗는 클록 周波數에 많이 依存한다. 高速 SRAM은 DRAM보다 훨씬 電力 消耗가 크고, 設計에 따라 最高 수 와트 까지 消耗할 수 있다. PC 메인보드 의 CMOS 메모리 같은 곳에 使用되는 低速 SRAM은 入出力이 없는 狀態에서는 數 마이크로 와트 程度의 적은 戰力만으로도 內容을 維持할 수 있다.

같이 보기 [ 編輯 ]

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政敵 램

• 動的 램
• SIMM
• 플래시 메모리