26日 半導體 業界에 따르면 삼성전자는 이달 末부터 40nm(나노미터·1nm는 10億 分의 1m)級 微細工程을 適用한 2Gb(기가비트) DDR3 D램 製品을 量産한다. 이와 함께 30nm級 公正 開發도 進行 中이다.

하이닉스 半導體도 4分期(10∼12月)에 40nm級 DDR3 D램을 量産할 計劃이다.

이는 世界 競爭業體들보다 크게 앞선 技術이다. ‘次世代 D램’으로 불리는 DDR3 D램 市場에서 40nm級 半導體 量産 計劃을 갖고 있는 業體는 삼성전자와 하이닉스, 日本 엘피다 等 3個 業體에 不過하다.

김종갑 하이닉스 社長은 “外國 競爭社는 50nm級에도 進入을 못하고 있다”며 “앞으로의 市場은 技術 開發이 競爭力을 左右할 展望”이라고 말했다.

삼성전자는 또 電源을 꺼도 記憶된 內容이 지워지지 않는 ‘낸드플래시메모리’ 市場 開拓을 위해 플래시메모리를 使用한 記憶裝置人 솔리드스테이트디스크(SSD·메모리半導體를 使用한 하드디스크드라이브) 新製品 開發을 마쳤다. 이 會社는 來年 初 30nm級 SSD를 선보일 計劃이다.

世界 半導體 業界는 그동안 赤字를 내면서도 出血 競爭을 持續해 왔으나 最近 늘어난 累積 赤字를 견디지 못하고 연이어 減産(減産)에 나서고 있다. 反面 國內 半導體 業界는 不況에도 技術 開發과 設備 投資를 進行해 온 德分에 競爭 外國 業體의 減産으로 因한 受惠를 누리고 있다.

金相勳 記者 sanhkim@donga.com