삼성전자가 世界 처음으로 6月부터 競技 鬐興工場에서 나노미터(nm·1nm=10億分의 1m) 技術을 適用한 半導體 量産에 나선다.
삼성전자는 다음달부터 競技 鬐興工場 半導體 8라인에서 90nm 工程을 使用한 메모리半導體를 量産키로 했다고 1日 밝혔다.
半導體業界에서 나노 技術을 部分的으로 適用하는 境遇는 있었지만 本格的인 量産은 이番이 처음이다. 三星電子는 나노미터 技術 메모리 半導體의 量産을 통해 플래시메모리 價格을 折半 以下로 떨어뜨려 인텔이 掌握하고 있는 플래시메모리 市場에 本格的으로 進出할 計劃이다.
김태한記者 freewill@donga.com
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