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磁氣 抵抗 메모리 (Magnetoresistive random-access memory, MRAM, 엠램)는 非揮發性 컴퓨터 메모리 技術이며 1990年代부터 開發이 進行 中이다. 現在의 메모리, 特히 플래시 램 과 디램 의 密度가 꾸준히 늘어나면서, 市場에서 MRAM은 틈새 製品이라는 位置를 벗어나지 못하였다. 그러나 MRAM을 支持하는 사람들은 MRAM의 뛰어난 이點 때문에 MRAM이 結局 市場을 支配하여 유니버설 메모리 가 될 것으로 믿고 있다. ^[1] 에버스핀 에서 生産 中이며 글로벌파운드리 와 三星 을 包含한 다른 企業들은 製品 計劃을 發表하였다. ^{[2] [3]}

應用 [ 編輯 ]

MRAM을 使用하는 裝置나 環境은 다음과 같다:

• 宇宙 空間과 軍事 體系
• 디지털 카메라
• 노트북 컴퓨터
• 스마트카드
• 携帶 電話
• 携帶 電話 基地局
• 個人用 컴퓨터
• 배터리 백업을 위한 에스램 을 代身
• 資料 記錄 專門 메모리 ( 블랙박스 )

같이 보기 [ 編輯 ]

• FeRAM
• PRAM
• NvSRAM
• EEPROM
• NRAM
• 强磁性

各州 [ 編輯 ]