삼성전자가 世界 3大 半導體 學會 가운데 하나인 ‘超大規模 集積 回路(VLSI·Very Large Scale Integration)’에서 4年 連續 最多 論文 採擇 企業이 됐다.
삼성전자는 13日(現地 時間)부터 5日 동안 美國 하와이에서 열린 ‘2006 VLSI 심포지엄’에서 19篇의 關聯 論文이 採擇돼 美國 IBM(18篇)을 제치고 1位를 차지했다고 19日 밝혔다.
이 會社는 2003年 21篇으로 1位에 오른 以後 2004年(22篇) 2005年(17篇)에 이어 올해까지 4年 連續 最多 論文 選定 企業이 됐다고 덧붙였다.
삼성전자는 特히 이番 심포지엄에서 半導體 回路線의 幅이 40nm(나노미터·1nm는 10億分의 1m) 以下인 超微細 工程 半導體 製品에 쓰이는 새로운 素材인 ‘타노스(TANOS)’를 開發했다고 發表했다.
타노스는 셀(cell) 사이의 干涉 現象 때문에 超微細 工程 開發이 힘든 旣存 素材의 限界를 克服할 수 있어 앞으로 超微細 工程의 高性能 半導體 開發이 可能해졌다고 삼성전자는 說明했다.
每年 6月 열리는 VLSI 學會는 1年 동안 世界 半導體 業界와 學界에서 應募한 論文들 가운데 優秀 論文을 選定해 發表하는 學會로 國際電子素子會議(IEDM) 및 國際半導體回路 學術會議(ISSCC)와 함께 世界 3大 半導體 學會로 꼽힌다.
이상록 記者 myzodan@donga.com
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