記號
統合 게이트 整流 사이리스터
(integrated gate-commutated thyristor,
IGCT
)는 大容量의 電流를 制御할 수 있는 新型
半導體 素子
이다.
GTO
와 비슷한
사이리스터
의 一種으로, 制御端子(gate) 信號로 켜고 끌 수 있으며 GTO에 비해 顚倒 損失이 적은 것이 特徵이다. 또한 IGCT는 GTO에 비해 조금 더 高速의 스위칭이 可能하다. 最高 400KHz까지의 스위칭이 可能하지만, 變換 損失이 크기 때문에 普通은 500Hz 程度로 스위칭한다.
開發社는
스위스
의 ABB이다.
같이 보기
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外部 링크
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製造社:
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