싱가포르
팹과 유나이티드 마이크로일렉트로닉스의 本社.
유나이티드 마이크로일렉트로닉스 코퍼레이션
(United Microelectronics Corporation,
中國語
:
聯華電子公司
, 略稱: UMC)社는 中華民國 後援 硏究所
ITRI
에서
스핀오프
하여 1980年에
臺灣
의 첫 番째
半導體
會社로 設立되었다. 오늘날 UMC는
팹리스
半導體 會社를 相對로 販賣用 파운드리 事業과,
集積回路
웨이퍼 製造企業으로 有名하다. 파운드리 事業에서, UMC는 競爭社로
TSMC
가 있으며 市場 占有率에서 2位를 차지한다.
歷史
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]
1980年 以來 主要 年表는 다음과 같다.
[1]
1980年代
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]
- 1980年 5月 : UMC 設立
- 1985年 7月 : IC 企業 最初로 타이완證券去來所에 上場.
1990年代
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]
- 1995年
- 7月 : 純粹 파운드리 業體로의 變更 始作
- 7月 - 9月 : 3個의 合作 投資 파운드리 會社 設立
- 9月 : 200mm 팹에서 生産 始作
- 1996年 1月 : 0.35마이크론 大量 生産.
- 1997年 10月 : 0.25마이크론 大量 生産.
- 1998年
- 4月 : Holtek Semiconductor 팹 買入.
- 12月 : Nippon Steel Semiconductor Corp. 팹을 買入해 2001年 Fab UMCJ로 再命名.
- 1999年
- 3月 : 0.18마이크론 大量 生産.
- 11月 : 타이완의 타이난 科學公園(Tainan Science Park)에 300mm 팹인 Fab 12A 建設 着工.
2000年代
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]
- 2000年
- 1月 : 5個 會社 合倂 完了. (UMC,USC,UTEK,USIC,UICC)
- 3月 : 九里 프로세스를 使用해 칩 出荷 한 最初의 파운드리
- 5月 : 파운드리 業界 最初로 0.13마이크론 IC 生産.
- 9月 : 뉴욕證券去來所(NYSE)에 첫 進出.
- 12月 : 싱가포르에 先行公正 300mm 파운드리(UMCi) 設立 計劃 發表.
- 2003年
- 1月 : UMCi 裝備 搬入 發表.
- 3月 : 90나노미터에서 最初로 顧客 IC 生産한 파운드리.
- 2004年
- 3月 : UMCi, 全體 300mm 生産으로 變更.
- 5月 : 90나노미터 檢證 完了 및 大量 生産.
- 7月 : SiS Microelectronics Corp. 팹 引受 完了.
- 12月 : 該當 子會社인 UMCi를 完全히 買入하고 UMC Fab 12i로 再命名.
- 2005年
- 6月 : 65나노미터에서 最初로 顧客 IC 生産한 파운드리.
- 8月 : 100,000個가 넘는 90나노미터 웨이퍼 出荷의 大記錄 達成.
- 2006年
- 6月 : IC 會社 最初로 모든 팹에 對해 QC 080000 IECQ HSPM 適格性 達成.
- 11月 : 기능하는 45나노미터 IC 生産.
- 2007年
- 1月 : 타이난 科學公園(Tainan Science Park)의 先行 技術 團地 擴張.
- 2008年
- 9月 : 다우존스 持續可能性 指數(Dow Jones Sustainability Indexes)에 對해 글로벌 指數 構成 要素로 命名.
- 10月 : UMC, 파운드리 業界 最初의 28 nm SRAM 發表.
- 2009年
- 4月 : 40나노미터 顧客 IC 生産
- 12月 : 日本 子會社 UMCJ 完全 買入
2010年代
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]
- 2010年
- 5月 : 創立 30周年
- 12月 : Fab 12A Phase 3工場, 大量 生産 始作
- 2011年 10月 : UMC, 28 nm 試驗 生産 開始
- 2012年 5月 : Fab 12A Phase 5& 6工場 起工式
- 2013年
- 3月 : 中國, 燒酒 Hejian 工場 取得
- 5月 : 싱가포르 Fab 12i,優秀 專門 技術 센터로 指定
- 2014年 8月 : UMC, 후지쯔(Fujitsu)의 새로운 파운드리 컴퍼니에 合流
- 2015年 : 3月 : United Semi(中國, 下問) Fab 起工式
財務現況
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]
UMC는
뉴욕 證券去來所
에
UMC
의
株式 記號
로 上場되어 있으며, 2003年에
中華民國 證券去來所
에 上場되었다. UMC는 世界各國에 있는 10個의 半導體 製造 設備에서, 10,500名 職員이 業務를 擔當하고 있다.
製造 施設
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]
| Fab
|
製造 工程
|
位置
|
웨이퍼 直徑
|
每月 生産量
|
| Fab 6A
|
0.45 μm
|
臺灣 新株
|
150 mm
|
50,000
|
| Fab 8AB
|
0.25 μm
|
臺灣 新株
|
200 mm
|
70,000
|
| Fab 8C
|
0.35?0.11 μm
|
臺灣 新株
|
200 mm
|
29,000
|
| Fab 8D
|
90 nm
|
臺灣 新株
|
200 mm
|
32,000
|
| Fab 8E
|
180 nm
|
臺灣 新株
|
200 mm
|
35,000
|
| Fab 8F
|
150 nm
|
臺灣 新株
|
200 mm
|
32,000
|
| Fab 8S
|
0.35?0.25 μm
|
臺灣 新株
|
200 mm
|
25,000
|
| Fab 8N
|
0.35?0.11 μm
|
中國 쑤저우
|
200 mm
|
50,000
|
| Fab 12A
|
28 nm
|
臺灣 타이난
|
300 mm
|
55,000
|
| Fab 12i
|
55 nm
|
싱가폴
|
300 mm
|
45,000
|
같이 보기
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]
各州
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]
- ↑
“UMC 가 걸어온 길”
. United Microelectronics Corporation. 2020年 5月 4日에
原本 文書
에서 保存된 文書
. 2020年 4月 24日에 確認함
.
外部 링크
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