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電壓 改廢 이온 通路

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4個의 상동 도메인 各各은 이온 通路의 하나의 小段位體를 構成한다. S4 電壓 感知 部分(+ 記號로 標示됨)은 荷電된 것으로 標示된다.
識別子
象徵 VIC
Pfam clan CL0030
TCDB 1.A.1
OPM superfamily 8
OPM protein 2a79

電壓 改廢 이온 通路 ( 英語 : voltage-gated ion channel )는 通路 近處의 막 前衛 의 變化에 依해 活性化되는 이온 通路 로, 幕貫通 蛋白質 의 한 種類이다. 막 前衛는 通路 蛋白質의 立體構造를 變更하여 改廢를 調節한다. 細胞膜 은 一般的으로 이온 에 對해 불透過性이므로 幕貫通 蛋白質 通路를 통해 幕을 통해 擴散되어야 한다. 普通 電壓 改廢 이온 通路는 한 이온에 對해 特異的이다. 假令 나트륨 (Na + ), 칼륨 (K + ), 칼슘 (Ca 2+ ), 鹽素 (Cl ? ) 이온에 特異的인 電壓 改廢 이온 通路가 存在한다. [1] 이온 濃度가 變하여 막 안팎의 電位差가 달라지면 이온 通路의 開閉가 觸發된다. [2]

같이 보기 [ 編輯 ]

各州 [ 編輯 ]

  1. Purves, Dale; Augustine, George J; Fitzpatrick, David; Katz, Lawrence C; LaMantia, Anthony-Samuel; McNamara, James O; Williams, S Mark (2001). 〈Voltage-Gated Ion Channels〉 . 《Neuroscience》 2板. Sunderland, Mass: Sinauer Associates. ISBN   978-0-87893-742-4 .  
  2. Catterall WA (April 2000). “From ionic currents to molecular mechanisms: the structure and function of voltage-gated sodium channels”. 《Neuron》 (英語) 26 (1): 13?25. doi : 10.1016/S0896-6273(00)81133-2 . PMID   10798388 .