記憶痕跡
(記憶痕跡,
英語
:
Engram
,
獨逸語
:
Engramm
)은 記憶에 對해 腦에서 形成되는 生物學的인 構造를 가리킨다. 여러 水準에서 생각할 수 있다.
機能
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外部 情報를
暗號化
하여 保管하고 必要할 때
상기
하는 過程으로 腦의 各 部分을 記憶 痕跡이 移動한다. 이를
記憶 固定化
라 한다.
兩者
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記憶이 形成되었을 때 活性化되고, 그 活性이 維持되는 分子가 있으면 그것은 分子 水準에서의 記憶 痕跡으로 생각된다.
칼슘 칼모듈린 依存性 蛋白質 키나제 II
(CaMKII)가 該當하는 것으로 看做된 적이 있었다. 이는 CaMKII가 一旦 活性化되면 自己
燐酸化
를 일으켜, 活性型이 되고, 그것이 적어도 試驗管 內에서 長期 維持하는 것에서 提唱된 것이다. 하지만
FRET
을 利用한 觀察에 依해, CaMKII의 活性化는 몇 分에서 떨어지는 것을 알아, 現在는 分子 水準의 記憶 痕跡이 뚜렷한 것은 없다.
延接
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記憶 形成에 따라
延接
反應의 增强 또는 감藥이 일어나, 延接 間의 情報 傳達 效率이 向上된다. 이를 連接의 可塑性 變化라 불러, 記憶 痕跡의 한 形態로 看做되고 있다. 위의 分子 水準의 記憶 痕跡의 役割 中 하나는, 延接 反應의 街素的 變化를 일으키는 것이다.
延接 可塑性
에는
長期 强化
現象,
長期 抑壓
現象 等이 存在한다.
細胞網
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延接 反應의 增强에 依해 同時에 發話하는 細浦郡이 形成된다. 이를
神經 細胞 接着體
라 하며, 神經 回로 水準의 記憶 痕跡으로 생각된다. 이는 헵형 延接 可塑性을 提唱한
도널드 O. 헤브
에 依해 提唱됐다. 예전엔 어디까지나 假想의 物件이었지만 最近 狂 遺傳學의 發達로 神經 細胞 接着體를 構成하는 神經 細胞의 活性을 調節하고 直接 觀察할 수 있어져, 硏究가 進行하고 있다.
같이 보기
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