半??器件

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半??器件 (英語: semiconductor device )是利用 半?? 材料的特殊?特性?完成特定功能的?子器件。半導體的導電性介於良 導電體 ?緣體 之間,?些半??材料通常是 ? ?化? ,?經過各式特定的?雜,?生P型或N型半導體,作成 整流器 、振?器、發光器、放大器、測光器等元件或設備。 [註 1] 常見的半導體元件有 二極體 電晶體 等。

麻省理工?院官?首?2012年4月24日宣布: 唐爽 崔瑟豪斯夫人 提出“ 唐-崔瑟豪斯理? ” ?建狄拉克型半??,其?子和空穴可以具有各?相??相?,或可引?新型 半??芯片 能源?? 器件的??。

普通半??如 ?化? ?化硅 等材料?成的??器件中,?子和空穴通常可以用 非相??性 的抛物?型 色散?系 ?描述其 能量-?能?系 英? Energy?momentum relation [2] [3] ,而在最近??的新型半??中,包括由 麻省理工?院 唐爽 崔瑟豪斯夫人 提出的准狄拉克材料、半狄拉克材料等( 唐-崔瑟豪斯理? [4] [5] [6] , ?子和空穴可以具有不同的 相??效? 。?些相??性的新型半??材料或可引?下一代 ?算机芯片 能源?置 的??。

晶?管 [ ?? ]

??性晶?管 [ ?? ]

?射? 基? 集?? 三????成,由通? 基? 的?流大小可以控制通? ?射? 集?? 的?流大小,??性晶?管能?放大信?,?且具有?好的功率控制、高速工作以及耐久能力。

?算机??展?的?米?MOSFET中反型?道的形成(?子密度的?化)。?着??增加,???道形成,?流增加,?效?管?通

?效?晶?管 [ ?? ]

源? ?? 漏? 三???成,由施加在 ?? 上的??可以控制???道的?通??,可用于信?放大,且由于漏?流比??性晶?管小,是?代 ?字集成?路 的基?。

可?性 [ ?? ]

半??器件???和灰??敏感。所以在繁?的生?工?中,精?控制??和灰?的等?是非常必要的。最??品的品質?大程度上依?生?中的各?相??立而又相互影?的生??段,例如 金?化 (metallization)、 芯片材料 (chip material)、 封? 等。

由于技??速?步,新材料和新工?不?被用于新??的器件中,????表根据 非循?工程常? (non-recurring engineering)限定,再加上市??????不?提出苛刻要求,所以可?性??基本不可能按照已有的?品?行。

??到一定的??指?,半???品?一大批量生?的;?且修理半???成品也是不??的。所以半???品在???段加入可?性的?念和在生??段?少?量就成?十分必要的要求。半??器件可?性取?于?配,使用,?境??。影?因素包括 ?? 灰? 沾? ?? ?流密度 ?度 ?度 ?力 ,往? 振? ,?烈 震? ?强 ?磁? 的强度。

??方面影?半??器件可?性的因素包括: ?? 衰退、 功率 衰退、 ?流 衰退、 ?定性 ?????差 (logic simulation)、 ?效分析 (timing analysis)、 ?度 衰退和 工?控制

提高方法 [ ?? ]

半??器件可?性依?以下方法保?其?于高水准:

  1. 無塵室 ?生?,以控制??。
  2. ?格的工?控制,?少?量。
  3. 老化 (短??,?端?件下??)???以?少不合格品漏?。
  4. 半??芯片??,指在封?前,用?接????的探?,在 ?微?? 下接? 芯片 ??行??,去除不合格品。
  5. 用整套????封?后的半??器件,?保?品能正常?作。

?考文? [ ?? ]

  • Giulio Di Giacomo (Dec 1, 1996), Reliability of Electronic Packages and Semiconductor Devices, McGraw-Hill
  • A. Christou and B.A. Unger (Dec 31, 1989), Semiconductor Device Reliability, NATO Science Series E
  • Michael Pecht, Riko Radojcic, and Gopal Rao (Dec 29, 1998), Guidebook for Managing Silicon Chip Reliability (Electronic Packaging Series), CRC Press LLC
  • MIL-HDBK-217F Reliability Prediction of Electronic Equipment
  • MIL-HDBK-251 Reliability/Design Thermal Applications
  • MIL-HDBK-H 108 Sampling Procedures and Tables for Life and Reliability Testing (Based on Exponential Distribution)
  • MIL-HDBK-338 Electronic Reliability Design Handbook
  • MIL-HDBK-344 Environmental Stress Screening of Electronic Equipment
  • MIL-STD-690C Failure Rate Sampling Plans and Procedures
  • MIL-STD-721C Definition of Terms for Reliability and Maintainability
  • MIL-STD-756B Reliability Modeling and Prediction
  • MIL-HDBK-781 Reliability Test Methods, Plans and Environments for Engineering Development, Qualification and Production
  • MIL-STD-1543B Reliability Program Requirements for Space and Missile Systems
  • MIL-STD-1629A Procedures for Performing a Failure Mode, Effects, and Criticality Analysis
  • MIL-STD-1686B Electrostatic Discharge Control Program for Protection of Electrical and Electronic Parts, Assemblies and Equipment (Excluding Electrically Initiated Explosive Devices)
  • MIL-STD-2074 Failure Classification for Reliability Testing
  • MIL-STD-2164 Environment Stress Screening Process for Electronic Equipment

註釋 [ ?? ]

  1. ^ 原文版「semiconductor device」,中文版「半導體裝置」、「半導體元件」在 施敏 ?授著作中均有出現,依上、下文意不同而出現 [1] ;又稱?「半導體器件」。

?考文? [ ?? ]

引用 [ ?? ]

  1. ^ 施敏 《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)
  2. ^ Charles Kittel. op. cit. 1996: 202. ISBN  978-0-471-11181-8 .  
  3. ^ Green, M. A. Intrinsic concentration, effective densities of states, and effective mass in silicon. Journal of Applied Physics. 1990, 67 (6): 2944?2954. Bibcode:1990JAP....67.2944G . doi:10.1063/1.345414 .  
  4. ^ New material shares many of graphene’s unusual properties. Thin films of bismuth-antimony have potential for new semiconductor chips, thermoelectric devices ?面存??? ,存于 互???案? ). MIT News Office (24 April 2012).
  5. ^ Tang, Shuang; Dresselhaus, Mildred. Constructing Anisotropic Single-Dirac-Cones in BiSb Thin Films. Nano Letters. 2012, 12 (4): 2021?2026. doi:10.1021/nl300064d .  
  6. ^ Tang, Shuang; Dresselhaus, Mildred. Constructing A Large Variety of Dirac-Cone Materials in the BiSb Thin Film System. Nanoscale. 2012, 4 (24): 7786?7790. doi:10.1039/C2NR32436A .  

?源 [ ?? ]

?籍