半??

半導體 （德語： Halbleiter , 英語： Semiconductor , 法語： Semi-conducteur ），是一? ??率在 ??? 至 ?? 之?的物?或材料。半??在某??度范??，??度升高而增加?荷 ?流子的?度，使得??率上升、 ?阻率下降；在??零度?，成????。依有无加入 ??? ，半??可分?：本征半?? 、 ??半?? （n型半??、p型半??）。

??率容易受控制的半??，可作?資訊?理的元件材料。?科技或是???展的角度?看，半??非常重要。?多?子?品，如電腦、移??? 、?字?音机的核心?元都是利用半??的??率?化??理資訊。常?的半??材料有：第一代（?一種定義/說法：第一「類」）的硅、 ? ，第二代（類）的 ?化? 、 ?化? ，第三代（類）的 ?化? 、 ?化? 、 ?化? 、 ?化硅等；而硅更是各?半??材料中，在商??用上最具有影?力的一?。

材料的??性是由 ?? 中含有的?子?量?定。??子? 价? ?得能量而跳?至????，?子就可以在??任意移?而??。一般常?的金?材料其????价??之?的能隙非常小，在室?下?子?容易?得能量而跳?至???而??，而??材料?因?能隙?大（通常大于9 ?子伏特），?子??跳?至???，所以无法??。

一般半??材料的能隙??1至3?子伏特，介于??和???之?。因此只要?予适??件的能量激?，或是改?其能隙之?距，此材料就能??。

半??通? ?子 ??或電洞傳?的方式???流。?子??的方式? ?? 中 ?流的流??似，?在 ?? 作用下高度 ?? 的原子 ?多余的?子向着??子化程度比?低的方向??。電洞???是指在正?子化的材料中，原子核外由于?子缺失形成的「空穴」，在??作用下，空穴被少?的?子?入而造成空穴移?所形成的?流（一般??正?流）。

材料中?流子（carrier）的?量?半??的??特性??重要。?可以通?在半??中有??的加入其他「??」（ IIIA 、 VA族元素）?控制。如果我們在純?中?雜（doping）少許的?或?（最外層有5個電子），就會多出1個自由電子，這樣就形成 n型半導體；如果我們在純?中?入少許的硼（最外層有3個電子），就反而少了1個電子，而形成一個電洞（hole），這樣就形成 p型半導體（少了1個帶負電荷的原子，可視?多了1個正電荷）。

麻省理工?院官?首?2012年4月24日宣布: 唐爽和崔瑟豪斯夫人提出“ 唐-崔瑟豪斯理? ” ?建狄拉克型半??，其?子和空穴可以具有各?相??相?，或可引?新型半??芯片和能源?? 器件的??。

普通半??如硅、 ?化? 、 ?化硅等材料中的?子和空穴通常可以用非相??性的抛物?型色散?系 ?描述其能量-?能?系（英? ： Energy?momentum relation ） ^[1]^[2]，而在最近??的新型半??中，包括由麻省理工?院的唐爽和崔瑟豪斯夫人提出的准狄拉克材料、半狄拉克材料等（唐-崔瑟豪斯理? ） ^[3]^[4]^[5], ?子和空穴可以具有不同的相??效? 。?些相??性的新型半??材料或可引?下一代 ?算机芯片、能源?置的??。

?括 [ ?? ]

上圖??緣體，中圖?半導體，下圖?導體。紫色區塊?傳導帶，綠色區塊?價電帶。半導體和?緣體之間的差異主要來自兩者的能帶間隙（Bandgap）寬度不同。

半導體和 ?緣體之間的差異主要來自兩者的能帶寬度不同。 ?緣體的能帶比半導體寬，意??緣體價帶中的載子必須獲得比在半導體中更高的能量才能跳過能帶，進入導帶中。室溫下的半導體導電性有如 ?緣體，只有極少數的載子具有足?的能量進入導帶。因此，對於一個在相同電場下的本征半導體和?緣體會有類似的電特性，不過半導體的能帶寬度小於 ?緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。

純質半導體的電氣特性可以藉由植入雜質的過程而永久改變，這個過程通常稱? ?雜。依照?雜所使用的雜質不同，?雜後的半導體原子周圍可能會多出一個電子或一個電洞，而讓半導體材料的導電特性變得與原本不同。如果?雜進入半導體的雜質濃度?高，半導體也可能會表現出如同金屬導體般（類金屬）的電性。在?雜了不同極性雜質的半導體界面處會有一個內建電場（built-in electric field），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關（例如太陽能電池電子與電洞對的蒐集就是?內建電場來作用），而?雜後的半導體有許多電性也會有相對應的變化。

除了藉由?雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因?施加於其上的電場改變而動態地變化。半導體材料也因?這樣的特性，?適合用來作?電路元件，例如電晶體。電晶體屬於主動式的（有源）半導體元件（active semiconductor devices），當主動元件和被動式的（无源）半導體元件（passive semiconductor devices）如電阻器或是電容器組合起來時，可以用來設計各式各樣的集成?路 ?品，例如微處理器。

當電子從導帶掉回價帶時，減少的能量可能會以光的形式釋放出來。這種過程是製造發光二極體以及半導體雷射的基礎，在商業應用上都有?足輕重的地位。而相反地，半導體也可以吸收光子，透過光電效應而激發出在價帶的電子，?生電訊號。這?是光探?器的來源，在光纖通訊或是太陽能電池的領域是最重要的元件，也是相機中CMOS Image Sensor主要的運作原理。

半導體有可能是單一元素組成，例如 ? 。也可以是兩種或是多種元素的化合物，常見的化合物半導體有 ?化? 或是 ?化??? （英? ： Aluminium gallium indium phosphide ）（aluminium gallium indium phosphide, AlGaInP）等。合金也是半導體材料的來源之一，如 ?? 或是 ?化?? （英? ： aluminium gallium arsenide ）（aluminium gallium arsenide, AlGaAs）等。

鑽石結構
diamond structure（鑽石結構）
Zinkblende structure（閃?結構）

??率 [ ?? ]

在常?下，半??的??率介于金???（～ $10^{7}$ S/m）和???（ $10^{-15}$ < S/m）之?，一般? $10^{5}$ ～ $10^{-7}$ S/m ^[6]。

能帶結構 [ ?? ]

半導體中的電子所具有的能量被限制在基態與自由電子之間的幾個能帶裡，在能帶內部電子能量處於準連續狀態，而能帶之間則有帶隙相隔開，電子不能處於帶隙內。當電子在基態時，相當於此電子被束縛在原子核附近；而相反地，如果電子具備了自由電子所需要的能量，那?就能完全離開此材料。每個能帶都有數個相對應的量子態，而這些量子態中，能量較低的都已經被電子所?滿。這些已經被電子?滿的量子態中，能量最高的就被稱? 價電帶。半導體和 ?緣體在正常情況下，幾乎所有電子都在價電帶或是其下的量子態裡，因此沒有自由電子可供導電。

半導體和 ?緣體之間的差異在於兩者之間能帶間隙寬度不同，亦?電子欲從價帶跳入導電帶時所必須獲得的最低能量不一樣。通常能帶間隙寬度小於3 電子伏特（eV）者?半導體，以上? ?緣體。

在 ?對零度時，固體材料中的所有電子都在價帶中，而導電帶?完全空置。當溫度開始上升，高於?對零度時，有些電子可能會獲得能量而進入導電帶中。導電帶是所有能?讓電子在獲得外加電場的能量後，移動穿過晶體、形成電流的最低能帶，所以導電帶的位置就緊?價電帶之上，而導電帶和價電帶之間的差距?是能帶間隙。通常對半導體而言，能帶間隙的大小約?1 電子伏特上下。在導電帶中，和電流形成相關的電子通常稱?自由電子。根據包利不相容原理，同一個量子態內不能有兩個電子，所以?對零度時，費米能級以下的能帶包括價電帶全部被?滿。由於在?滿的能帶內，具有相反方向動量的電子數目相等，所以宏觀上不能載流。在有限溫度，由熱激發?生的導電帶電子和價電帶電洞使得導電帶和價電帶都未被?滿，因而在外電場下可以觀測到宏觀?電流。

在價電帶內的電子獲得能量後便可躍升到導電帶，而這便會在價帶內留下一個空缺，也就是所謂的電洞。導電帶中的電子和價電帶中的電洞都對電流傳遞有貢獻，電洞本身不會移動，但是其?電子可以移動到這個電洞上面，等效於電洞本身往反方向移動。相對於帶負電的電子，電洞的電性?正電。

由化學鍵結的觀點來看，獲得足?能量、進入導電帶的電子也等於有足?能量可以打破電子與固體原子間的共價鍵，而變成自由電子，進而對電流傳導做出貢獻。

半導體和導體之間有個顯著的不同是半導體的電流傳導同時來自電子與電洞的貢獻，而導體的費米能階則已經在導帶內，因此電子不需要?大的能量?可?到空缺的量子態供其跳躍、造成電流傳導。

固體材料內的電子能量分布遵循費米-狄拉克分佈。在?對零度時，材料內電子的最高能量?? 費米能階，當溫度高於?對零度時，費米能階?所有能階中，被電子占據機率等於0.5的能階。半導體材料內電子能量分布?溫度的函數也使其導電特性受到溫度?大的影響，當溫度?低時，可以跳到導電帶的電子較少，因此導電性也會變得較差。

能量-動量色散 [ ?? ]

上述關於能帶結構的內容?了簡化，因此跳過了一個重要的現象，稱? 能量的色散（dispersion of energy）。同一個能帶內之所以會有不同能量的量子態，原因是能帶的電子具有不同波向量或者「 k-向量 」。在[學]]中， k-向量 ??粒子的動量，不同的材料會有不同的能量-動量關係（ E-k relationship）。

能量-動量色散關係式能決定電子或電洞的等效質量（effective mass），以 $m^{*}$ 代表，公式如下：

m^{*}=\hbar ^{2}\cdot \left[{{d^{2}E(k)} \over {dk^{2}}}\right]^{-1}

等效質量可視?聯繫量子力學與古典力學的一個參數。這個參數對於半導體材料而言十分重要，例如?和電子或電洞的遷移率（electrons or holes mobility）有高度關聯。電子或電洞的遷移率對於半導體元件的載子傳輸是相當基本的參數。

電子和電洞的等效質量不相等，這也造成了兩者的遷移率不同，進而讓「N-通道」和「P-通道」的金屬?化物半導體場效電晶體導電性不同。

?化? 的能帶結構。對於直接能隙半導體而言，電子從導帶落至價帶時，能量的釋放不必牽涉到動量守衡，故全部以光子的形式釋放能量。

准?的???是?量?化?零，因?任何?候?量都是守恒的，不能?不必?涉

半導體材料的導電帶底部和價電帶頂端在「能量-動量座標」上可能會處在不同的k?，這種材料叫做間接能帶材料（in-direct bandgap material），例如 ? 或是 ? 。相對地，如果某種材料的導帶底部和價帶頂端有相同的k?，這種材料稱? 直接能帶材料（direct bandgap material），最常見的例子是 ?化? 。電子在直接能隙材料的價帶與導帶的躍遷不涉及晶格動量的改變，因此發光的效率高過間接能隙材料甚多， ?化? 也因此是光電半導體元件中最常見的材料之一。

載流子的?生與復合 [ ?? ]

當離子化的輻射能量落在半導體時，可能會讓價帶中的電子吸收到足?能量而躍遷至導帶，?在價帶中?生一個電洞，這種過程叫做電子-電洞對的?生（generation of electron-hole pair） ^[7]。而其他?大的能量，如熱能，也可以同樣?生出電子-電洞對。

電子-電洞對則會經由復合的過程而被消滅。根據能量守? 的觀念，在導帶中的電子必須回到價帶，將所得到的能量釋放出來。能量釋放的形式包括熱能或輻射能，而這兩種能量量子化後的表徵分別是聲子以及光子。

對於處在穩態的半導體而言，電子-電洞對的?生與復合速率是相等的。而在一個已給定的溫度下，電子-電洞對的數量可由量子統計求得。量子力學處理此類問題時必須同時遵守能量以及動量守?。

?雜 [ ?? ]

半導體之所以能廣泛應用在今日的數位世界中，憑藉的就是其能藉由在本質半導體加入雜質改變其特性，這個過程稱之??雜。?雜進入本質半導體的雜質濃度與極性皆會對半導體的導電特性?生?大的影響。而?雜過的半導體則稱? 雜質半導體。

?雜物 [ ?? ]

?種材料適合作?某種半導體材料的 ?雜物需視兩者的原子特性而定。一般而言，?雜物依照其帶給被?雜材料的電荷正負被區分? 施體（donor）與受體。施體原子帶來的價電子多會與被?雜的材料原子?生共價鍵，進而被束縛。而沒有和被?雜材料原子?生共價鍵的電子則會被施體原子微弱地束縛住，這個電子又稱?施體電子。和本征半導體的價電子比起來，施體電子躍遷至導帶所需的能量較低，比較容易在半導體材料的晶格中移動，?生電流。雖然施體電子獲得能量會躍遷至導帶，但?不會和本征半導體一樣留下一個電洞，施體原子在失去了電子後只會固定在半導體材料的晶格中。因此這種因??雜而獲得多餘電子提供傳導的半導體稱? n型半導體，n代表帶負電荷的電子。

和施體相對的，受體原子進入半導體晶格後，因?其價電子數目比半導體原子的價電子數量少，等效上會帶來一個的空位，這個多出的空位?可視?電洞。受體?雜後的半導體稱? p型半導體，p代表帶正電荷的電洞。

以一個 ? 的本征半導體來說明?雜的影響。?有四個價電子，常用於?的?雜物有三價與五價的元素。當只有三個價電子的三價元素如硼 ?雜至?半導體中時，硼扮演的?是受體的角色，?雜了硼的?半導體就是p型半導體。反過來說，如果五價元素如 ? ?雜至?半導體時， ? 扮演施體的角色，?雜?的?半導體成?n型半導體。

一個半導體材料有可能先後?雜施體與受體，而如何決定此外質半導體?n型或p型必須視?雜後的半導體中，受體帶來的電洞濃度較高或是施體帶來的電子濃度較高，亦?何者?此外質半導體的多數載流子（majority carrier）。和多數載流子相對的是少數載流子（minority carrier）。對於半導體元件的工作原理分析而言，少數載流子在半導體中的行?有著非常重要的地位。

材料的製造 [ ?? ]

?了滿足量?上的需求，半導體的電性必須是可預測?且穩定的，因此包括?雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的位? （dislocation）、 ?晶面（twins）或是堆??? （英? ： Stacking-fault energy ）（stacking fault） ^[8] 都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體元件而言，材料晶格的缺陷（晶?缺陷）通常是影響元件性能的主因。

目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱? 柴可拉斯基製程（鋼鐵場常見工法）。這種製程將一個單晶的晶種（seed）放入溶解的同材質液體中，再以旋轉的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時，溶質將會沿著固體和液體的介面固化，而旋轉則可讓溶質的溫度均勻。

全球製造企業 [ ?? ]

2012年度全球營收前25的半導體製造企業 ^[9]
排序	公司	生?模式	國家	2012年營收（百萬美金）	2011年營收（百萬美金）	較2011年成長
1	英特爾	IDM	美?	49114	49697	-1%
2	三星半導體	IDM	??	32251	33483	-4%
3	台積電	晶圓代工	中華民國	17167	14600	18%
4	高通	IC設計	美?	13177	9828	34%
5	德州儀器	IDM	美?	12147	12182	-6%
6	東芝	IDM	日本	11217	12745	-12%
7	瑞薩電子	IDM	日本	9314	10653	-13%
8	海力士	IDM	??	9057	9403	-4%
9	意法半導體	IDM	法國義大利	8364	9631	-13%
10	美光	IDM	美?	8002	8571	-7%
11	博通	IC設計	美?	7793	7160	9%
12	索尼	IDM	日本	5709	6093	-6%
13	超微半導體	IC設計	美?	5422	6568	-17%
14	英飛凌	IDM	德?	4993	5599	-11%
15	格羅方德	晶圓代工	美?	4560	3480	31%
16	輝達	IC設計	美?	4229	3939	7%
17	富士通	IDM	日本	4162	4430	-6%
18	恩智浦半導體	IDM	荷蘭	4157	4147	0%
19	飛思?爾	IDM	美?	3735	3164	-15%
20	聯華電子	晶圓代工	中華民國	3730	3760	-1%
21	聯發科技	IC設計	中華民國	3366	2969	13%
22	夏普	IDM	日本	3304	2908	14%
23	美滿電子	IDM	美?	3157	3445	-8%
24	爾必達 *	IDM	日本	3735	3164	-15%
25	羅姆電子	IDM	日本	3030	3303	-8%

爾必達於2012年5月宣告破?，2013年7月由美光完成?購。

十大公司 [ ?? ]


公司	收入	?收入	市?	一年追踪回?率	交易所
美? 英特爾公司（INTC）	757億美元	227億美元	2561億美元	34.1％	納斯達克
中華民國台積電（TSM）	379億美元	131億美元	2935億美元	58.8％	紐約證券交易所
美? 高通公司（QCOM）	247億美元	40億美元	1,012億美元	34.2％	納斯達克
美? Broadcom Inc.（AVGO）	229億美元	25億美元	1261億美元	23.4％	納斯達克
美? 美光科技公司（MU）	196億美元	23億美元	567億美元	57.1％	納斯達克
美? 德州儀器（TXN）	141億美元	50億美元	1158億美元	21.8％	納斯達克
中華民國日月光半導體有限公司（ASX）	137億美元	6億美元	97億美元	30.9％	紐約證券交易所
美? NVIDIA Corp.（NVDA）	118億美元	33億美元	2272億美元	155.5％	納斯達克
意法半導體（STM）	97億美元	9億美元	239億美元	74.5％	紐約證券交易所
恩智浦半導體NV（NXPI）	88億美元	2億美元	326億美元	32.0％	納斯達克

截止到2020年6月，根據TTM對全球半導體公司收入的追踪，整理出全球十大半導體公司（此列表僅限於直接或者通過美國或加拿大公開交易的公司，一般外國的公司會每半年提交報告一詞，因此滯後時間會更長，所有數據截止2020年6月18日，所有數據由YCharts提供 10 Biggest Semiconductor Companies （ ?面存??? ，存于互???案? ）

應用 [ ?? ]

半??器件可以通???和材料上的???到控制?流??的目的，?以此?基??建各??理不同信?的?路。?是半??在?前 ?子技? 中?泛?用的原因。

延伸閱讀 [ ?? ]

材料科學 [ ?? ]

物理? [ ?? ]

工? [ ?? ]

?考來源 [ ?? ]

文?

Muller, Richard S.; Theodore I. Kamins. Device Electronics for Integrated Circuits 2d. New York: Wiley. 1986. ISBN 978-0-471-88758-4 . 引文使用???? coauthors ( ?助 )
Sze, Simon M. Physics of Semiconductor Devices（2nd ed.）. John Wiley and Sons（WIE）. 1981. ISBN 978-0-471-05661-4 .

上冊：施敏 ; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(上冊) . 臺灣 : 國立交通大學 . 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文） . 引文使用???? coauthors ( ?助 ) （繁體中文）
下冊：施敏 ; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(下冊) . 臺灣 : 國立交通大學 . 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文） . 引文使用???? coauthors ( ?助 ) （繁體中文）

Turley, Jim. The Essential Guide to Semiconductors. Prentice Hall PTR. 2002. ISBN 978-0-13-046404-0 .
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Yu, Peter Y.; Cardona, Manuel. Fundamentals of Semiconductors : Physics and Materials Properties. Springer. 2004. ISBN 978-3-540-41323-3 .
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引用

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相關條目 [ ?? ]

外部連結 [ ?? ]

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US Navy Electrical Engineering Training Series
NSM-Archive （ ?面存??? ，存于互???案? ） Physical Properties of Semiconductors
Semiconductor Concepts at Hyperphysics （ ?面存??? ，存于互???案? ）
Principles of Semiconductor Devices （ ?面存??? ，存于互???案? ） by Bart Van Zeghbroeck, University of Colorado
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[3] New material shares many of graphene’s unusual properties. Thin films of bismuth-antimony have potential for new semiconductor chips, thermoelectric devices （ ?面存??? ，存于互???案? ）. MIT News Office (24 April 2012).

[4] Tang, Shuang; Dresselhaus, Mildred. Constructing Anisotropic Single-Dirac-Cones in BiSb Thin Films. Nano Letters. 2012, 12 (4): 2021?2026. doi:10.1021/nl300064d .

[5] Tang, Shuang; Dresselhaus, Mildred. Constructing A Large Variety of Dirac-Cone Materials in the BiSb Thin Film System. Nanoscale. 2012, 4 (24): 7786?7790. doi:10.1039/C2NR32436A .

[6] 存?副本 . [ 2022-04-15 ] . （原始?容存?于2022-04-15）.

[7] 由薩支唐 ?授提出

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[9] Top Semiconductor Ranking 2012 . [ 2013-12-28 ] . （原始?容存? 于2013-12-30）.

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