Роберт Нортон Нойс
(
англ.
Robert Norton Noyce
,
12 грудня
1927
(
19271212
)
?
3 червня
1990
) ? американський
?нженер
, один з винах?дник?в
?нтегрально? схеми
(
1959
), один ?з засновник?в
Fairchild Semiconductor
(
1957
), засновник, сп?льно з
Г. Муром
, корпорац??
Intel
(
1968
).
У
1949
Нойс зак?нчив Гр?ннелл-коледж в
Айов?
з? ступенем
бакалавра
, в
1953
отримав ступ?нь
доктора ф?лософ??
в?д
Массачусетського технолог?чного ?нституту
.
У 1956-57 роках працював в
Shockley Semiconductor Laboratory
п?д кер?вництвом винах?дника
транзистора
В?льяма Шокл?
, а пот?м разом з с?мома колегами зв?льнився ? заснував одну з перших ф?рм з виробництва
кремн??вих
нап?впров?дник?в
?
Fairchild Semiconductor
. Працюючи в Fairchild Semiconductor, Нойс, практично одночасно з
Джеком К?лб?
з
Texas Instruments
, винайшов
?нтегральну м?кросхему
.
У 1968 роц? Нойс ? його давн?й колега
Гордон Мур
заснували корпорац?ю
Intel
. Через два роки вони створили Intel 1103 ? першу ?нтегральну м?кросхему оперативно? пам'ят? (DRAM), доступну комерц?йно. Intel 1103 скоро вит?снила поширену в той час
пам'ять на магн?тних осердях
. Нойс також був кер?вником проекту Intel з? створення першого
м?кропроцесора
(
Intel 4004
, випущений в 1971 роц?). Незабаром корпорац?я Intel стала л?дером з виробництва м?кропроцесор?в.
У
1988
Нойс став президентом корпорац??
Sematech
, досл?дницького консорц?уму, сп?льно ф?нансованого промисловим кап?талом ? урядом США з метою розвитку передових технолог?й в американськ?й нап?впров?дниково? промисловост?.
У липн? 1959 року Нойс подав заявку на патент №2981877 ≪Нап?впров?дниковий пристр?й ? струмопров?дна структура≫ ? тип
?нтегрально? м?кросхеми
. За цей винах?д (зроблений одночасно з Джеком К?лб?), що по-справжньому перетворив св?т, Нойс отримав в?дзнаки в?д трьох президент?в Сполучених Штат?в. Президент
Рональд Рейган
нагородив його
Нац?ональною медаллю технолог?й
у 1987-му.
[5]
Через два роки його було включено до зали б?знес-слави США (U.S. Business Hall of Fame)
[6]
на церемон??, де виступив
Джордж Буш старший
.
[7]
У In 1990-му Нойс, К?лб? ? винах?дник транзистора
Джон Бард?н
отримали медаль за житт?в? досягнення на честь святкування двохсотр?ччя Патентного акту.
?нститут Франкл?на
нагородив Нойса Медаллю Стюарта Баллантайна у 1966-му.
[8]
?нститут
IEEE
нагородив його
Медаллю пошани
у 1978-му ≪за внесок у створення кремн??вих ?нтегральних схем, основу сучасно? електрон?ки≫.
[9]
[10]
У 1979-му Нойса нагородили
Нац?ональною науковою медаллю США
.
Американська академ?я мистецтв ? наук
обрала його сво?м членом у in 1980-му.
[11]
Нац?ональна ?нженерна Академ?я США
нагородила Нойса прем??ю Дрейпера у 1989-му.
[12]
Один з корпус?в Гр?ннелл-коледжу, альма-матер Нойса, носить його ?м'я.
Генеалог?я та некропол?стика
|
|
---|
| Л?тература та б?бл?ограф?я
|
|
---|
| Наука
|
|
---|
| Тематичн? сайти
|
|
---|
| Словники та енциклопед??
|
|
---|
| Дов?дков? видання
|
|
---|
| Нормативний контроль
|
|
---|
|
|
---|
| П?дрозд?ли
|
|
---|
| Продукти
|
|
---|
| Позови
|
|
---|
| Люди
|
|
---|
| Пов'язане
|
|
---|
|