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≪ Random Access Memory ≫ redirige ici. Pour l'album du groupe Daft Punk , voir Random Access Memories .

Pour les articles homonymes, voir RAM et Memoire vive (homonymie) .

Ne doit pas etre confondu avec Random access machine .

Memoire vive

Deux barrettes de memoire DDR de 512  Mio chacune

Caracteristiques

Se connecte via	Support DIMM Support SIMM
Classement des utilisations	Ordinateur fixe Ordinateur portable
Fabricants courants	Corsair Memory Kingston OCZ Technology G.Skill Samsung Micron Technology Gigabyte

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La memoire vive , parfois abregee avec l'acronyme anglais RAM ( random-access memory ), est la memoire informatique dans laquelle peuvent etre enregistrees les informations traitees par un appareil informatique . On ecrit memoire vive par opposition a la memoire morte ^{[ a ]} .

L'acronyme RAM date de 1965.

Caracteristiques generales [ modifier | modifier le code ]

Les caracteristiques actuelles de cette memoire sont :

• Sa fabrication a base de circuits integres  ;
• L' acces direct a l'information ^{[ b ]} par opposition a un acces sequentiel  ;
• Sa rapidite d'acces, essentielle pour fournir rapidement les donnees au processeur  ;
• Sa volatilite, qui entraine une perte de toutes les donnees en memoire des qu'elle cesse d'etre alimentee en electricite.

Designations [ modifier | modifier le code ]

Il y a deux types principaux de memoire vive :

• La memoire vive dynamique (DRAM) qui, meme sous alimentation electrique normale, doit etre reactualisee periodiquement pour eviter la perte d'information ;
• La memoire vive statique (SRAM) qui n'a pas besoin d'un tel processus sous alimentation electrique normale ;

Technique [ modifier | modifier le code ]

La memoire informatique est un composant d'abord realise par des tores magnetiques , puis par l' electronique dans les annees 1970 ^{[ 1 ]} , qui permet de stocker et relire rapidement des informations binaires . Son role est notamment de stocker les donnees qui vont etre traitees par l' unite centrale de traitement (UCT), soit un microprocesseur dans la plupart des appareils modernes.

On peut acceder a la memoire vive alternativement en lecture ou en ecriture.

Il existe egalement des memoires associatives , largement utilisees dans les techniques de memoire virtuelle pour eviter des recherches sequentielles de pages et accelerer ainsi les acces.

Organisation [ modifier | modifier le code ]

Les informations peuvent etre organisees en mots de 8, 16, 32 ou 64  bits .

Certaines machines anciennes avaient des mots de taille plus exotique. Par exemple,

• 60 bits pour le Control Data 6600 ;
• 36 bits pour l' IBM 7030 ≪ Stretch ≫ ou le DEC PDP- 10 ;
• 12 bits pour la plupart des premiers mini-ordinateurs de DEC , les appareils d' instrumentation travaillant au mieux sur 12 bits a l'epoque.

Detection et correction d'erreurs [ modifier | modifier le code ]

Afin d'assurer la fiabilite de l'information enregistree en memoire, on ajoute des bits supplementaires a chaque mot de memoire. Par exemple,

• Dans les memoires a parite , il y a un bit supplementaire (dit de controle de parite ), transparent a l'utilisateur (traitement materiel) ;
• Dans les memoires a correction automatique d'erreur sur 1 bit et detection sur plus d'un bit ( ECC ), ces bits invisibles sont parfois au nombre de six ou plus ;
• Chaque mot des memoires des serveurs modernes dits non-stop ou 24×365 dispose, en plus des bits de correction , de bits de remplacement qui prennent la releve des bits defaillants a mesure du vieillissement de la memoire (une defaillance de 10 ^-11 chaque annee se traduit par 10,0 bits defaillants par an sur une memoire de 128  Gio ).

Les fabricants recommandent d'utiliser de barrettes de memoire avec l'ECC pour celles ayant une capacite d'1  Gio ou plus, en particulier celles utilisees dans les serveurs, permettant de detecter les erreurs et de les corriger a la volee. Dans la pratique, les ordinateurs personnels les utilisent tres rarement.

Temps d'acces [ modifier | modifier le code ]

Le temps d'acces a un mot de la memoire vive est de quelques dizaines ou centaines de nanosecondes tandis que celui d'un dispositif a disque dur est de quelques millisecondes (c'est-a-dire dix mille a cent mille fois plus lent) et celui d'un dispositif a semi-conducteur est intermediaire. En revanche, il n'est possible avec ces derniers, de lire et ecrire que par blocs de mots.

Adressage de la memoire [ modifier | modifier le code ]

Cette section ne cite pas suffisamment ses sources  (juillet 2018) . 

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Un circuit integre de memoire ne comporte que le nombre de bits d' adresse memoire necessaire pour acceder aux mots de memoire qu'il contient. L'unite centrale de traitement comporte beaucoup plus de bits d' adresse memoire qu'un simple circuit integre de memoire afin d'adresser davantage de memoire. Ces bits supplementaires sont decodes par un circuit specialise, nomme decodeur d'adresse ou selecteur, pour selectionner le circuit integre de memoire approprie grace a une broche de celui-ci nomme chip select .

Il est tres facile de munir un microprocesseur d'une memoire non contigue (par exemple de 0 a 4 095, puis un trou, puis de la memoire entre 16 384 et 32 767), ce qui facilite beaucoup la detection d'erreurs d'adressage eventuelles ^{[ref. necessaire]} .

Divers types de memoire vive [ modifier | modifier le code ]

Memoire vive statique [ modifier | modifier le code ]

Une memoire vive statique est une memoire vive qui n'a pas besoin de rafraichissement .

Static Random Access Memory (SRAM) [ modifier | modifier le code ]

Cette memoire utilise le principe des bascules electroniques pour enregistrer l'information. Elle est tres rapide, mais est cependant chere et volumineuse. Elle consomme moins d'electricite que la memoire dynamique. Elle est utilisee pour les caches memoire , par exemple les caches memoire L1, L2 et L3 des microprocesseurs.

Dual Ported Random Access Memory (DPRAM) [ modifier | modifier le code ]

Cette memoire est une variante de la Static Random Access Memory ( SRAM ) ou on utilise un port double qui permet des acces multiples quasi simultanes, en entree et en sortie.

Magnetic Random Access Memory (MRAM) [ modifier | modifier le code ]

Cette memoire utilise la charge magnetique de l' electron pour enregistrer l'information. Elle possede un debit de l'ordre du gigabit par seconde, un temps d'acces comparable a de la memoire DRAM (~10  ns ) et elle est non-volatile. Etudiee par tous les grands acteurs de l'electronique, elle a commence a etre commercialisee en 2006, mais reste en 2020 confinee a un marche de niche.

Phase-Change Random Access Memory (PRAM) [ modifier | modifier le code ]

Cette memoire utilise le changement de phase du verre pour enregistrer l'information. Elle est non-volatile. Elle a commence a etre commercialisee en 2012.

Memoire vive dynamique [ modifier | modifier le code ]

Une memoire vive dynamique est une memoire vive qui a besoin de rafraichissement .

La simplicite structurelle d'une memoire vive dynamique (DRAM) (un pico-condensateur et un transistor pour un bit) permet d'obtenir une memoire dense a faible cout. Son inconvenient reside dans les courants de fuite des condensateurs  : l'information disparait a moins que la charge des condensateurs ne soit rafraichie avec une periode de quelques millisecondes, d'ou le terme de dynamique . A contrario, les memoires vives statiques (SRAM) n'ont pas besoin de rafraichissement, mais utilisent plus d'espace et sont plus couteuses.

Fabricants de memoire [ modifier | modifier le code ]

Puces memoire [ modifier | modifier le code ]

Barrettes de memoire [ modifier | modifier le code ]

Notes et references [ modifier | modifier le code ]

Notes [ modifier | modifier le code ]

References [ modifier | modifier le code ]

Voir aussi [ modifier | modifier le code ]

Articles connexes [ modifier | modifier le code ]

• Memoire morte
• Memoire non volatile
• SSD
• Memoire a tores magnetiques
• Memoire vive a registres
• Testeur de memoire
• Memoire tampon

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