Une self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par ≪ grille auto-alignee ≫) est un procede de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, en silicium polycristallin tres dope , est utilisee en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent.

Grace a cette technique, le chevauchement de la grille avec les bords de la source et du drain est plus finement controle, ce qui permet de mieux maitriser les caracteristiques du transistor MOSFET obtenu et d'ameliorer les performances du composant en reduisant ses capacites parasites C _ds et C _gs .

La technique de self-aligned gate est nee en 1966, et fut brevetee aux Etats-Unis en octobre 1969 ^{[ 1 ]} .

References [ modifier | modifier le code ]

Voir aussi [ modifier | modifier le code ]

Articles connexes [ modifier | modifier le code ]

• Fabrication des dispositifs a semi-conducteurs

• Portail de l’electricite et de l’electronique