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SK하이닉스, TSMC와 AI 메모리 손 잡았다|스포츠동아

SK하이닉스, TSMC와 AI 메모리 손 잡았다

入力 2024-04-22 10:00:00
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SK하이닉스가 지난 달 末 製品 供給을 始作한 AI用 메모리 新製品 ‘HBM3E’. 寫眞提供|SK하이닉스

HBM 1位 企業과 파운드리 1位 企業의 協力

次世代 高帶域幅메모리 生産과
어드밴스드 패키징 技術 强化
2026年 6世代 HBM 開發 計劃
“메모리 限界 깨고 技術革新 挑戰”
SK하이닉스가 臺灣의 TSMC와 人工知能(AI) 메모리 部門에서 손을 잡았다. 次世代 高帶域幅메모리(HBM) 生産과 어드밴스드 패키징 技術 力量을 强化하기 위해 緊密히 協力하기로 했다.

두 會社는 最近 臺灣 타이페이에서 이같은 技術 協力을 위한 諒解覺書(MOU)를 締結했다. SK하이닉스는 TSMC와 協業해 2026年 量産 豫定인 6世代 HBM(HBM4)를 開發한다는 計劃이다. 最近 高性能의 HBM을 開發하는 等 AI 메모리 市場에서 主導權 確保에 速度를 내고 있는 삼성전자와의 競爭이 熾烈할 展望이다.


●베이스 다이 性能 改善


SK하이닉스와 TSMC의 協力은 HBM 1位 企業과 파운드리 1位 企業의 協力으로 큰 關心을 모은다. SK하이닉스는 이와 關聯해 “AI 메모리 글로벌 리더인 當社는 파운드리 1位 企業 TSMC와 힘을 합쳐 또 한番의 HBM 技術 革新을 이끌어 내겠다”며 “顧客-파운드리-메모리로 이어지는 3者 間 技術 協業을 바탕으로 메모리 性能의 限界를 突破할 것이다”고 밝혔다.

兩社는 于先 HBM 패키지 內 崔下段에 搭載되는 베이스 다이의 性能 改善에 나설 計劃이다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 單品 칩인 코어 多이를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV(Through Silicon Via) 技術로 垂直 連結해 만든다. TSV는 D램 칩에 數千 個의 微細한 구멍을 뚫어 上層과 下層 칩의 구멍을 垂直으로 貫通하는 電極으로 連結하는 相互連結 技術이다. 베이스 다이는 그래픽處理裝置(GPU)와 連結돼 HBM을 컨트롤하는 役割을 遂行한다.

SK하이닉스는 5世代인 HBM3E까지는 自體 工程으로 베이스 多이를 만들었으나, HBM4부터는 로직 船團 工程을 活用할 計劃이다. 이 多이를 生産하는 데 超微細 工程을 適用하면 다양한 機能을 追加할 수 있기 때문이다. 會社는 이를 통해 性能과 電力 效率 等 顧客들의 要求에 符合하는 맞춤型 HBM을 生産한다는 計劃이다.


●“開放形 協業 速度”


兩社는 또 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 技術 結合을 最適化하기 爲해 協力하고, HBM 關聯 顧客 要請에 共同 對應키로 했다. CoWoS는 TSMC가 特許를 갖고 있는 固有 工程으로, 인터胞阻라는 特殊 基板 위에 로직 칩인 GPU·xPU와 HBM을 올려 連結하는 패키징 方式이다. 水平(2D) 基板 위에서 로직 칩과 垂直 積層(3D)된 HBM이 하나로 結合되는 形態라 2.5D 패키징으로도 불린다.

김주선 SK하이닉스 社長(AI 인프라擔當)은 “TSMC와의 協業을 통해 最高 性能의 HBM4를 開發하는 것은 勿論, 글로벌 顧客들과의 開放型 協業에도 速度를 낼 것이다”며 “앞으로 當社는 顧客맞춤型 메모리 플랫폼 競爭力을 높여 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’의 位相을 確固히 하겠다”고 말했다.

케빈 腸 TSMC 首席副社長은 “TSMC와 SK하이닉스는 數 年間 堅固한 파트너십을 維持하며 最先端 로직 칩과 HBM을 結合한 世界 最高의 AI 솔루션을 市場에 供給해 왔다”며 “HBM4에서도 兩社는 緊密하게 協力해 顧客의 AI 基盤 革新에 ‘키’가 될 最高의 統合 製品을 提供할 것이다”고 말했다.

김명근 스포츠동아 記者 dionys@donga.com 記者의 다른記事 더보기




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