Snapdragon
(с
англ.
?
≪
львиный зев
≫) ? семейство
мобильных
систем на кристалле
(
SoC
) компании
Qualcomm
. Включают
процессорные ядра
, базирующиеся на
архитектуре
ARM
, графические ядра
Adreno
,
DSP
Hexagon
[англ.]
и ряд
модулей связи
.
Линейка позиционируется как платформа
[
прояснить
]
для
смартфонов
и
планшетов
(изначально ? также для
смартбуков
).
Семейство составляет множество
SoC
, которые разделены на несколько веток поколений серий
[1]
: S1/S2/S3/S4, 2xx/4xx/6xx/7xx/8xx и 4 Gen X, 6 Gen X, 7 Gen X, 8 Gen X.
Следует иметь в виду, что понятие
чипсета
как набора микросхем (Chip Set) не применимо к SoC (системе на одном кристалле), к которым относятся все чипы семейства Snapdragon.
Первым
мобильным телефоном
, в котором был использован чип Snapdragon, стал
Toshiba TG01
[англ.]
[2]
. Также использующие его аппараты
Acer S200
и
HTC HD2
появились в продаже в
ноябре 2009 года
.
В июне
2009
был представлен построенный на Snapdragon
нетбук
ASUS Eee PC
с операционной системой
Android
[3]
. Впоследствии стало известно, что компания ASUS отказалась от выпуска данной модели
[4]
.
В публикациях 2007 года отмечали схожесть используемого в Snapdragon процессорного ядра Scorpion с
Cortex-A8
[5]
.
Чипы QSD8x50 были выпущены в конце
2008 года
, выпуск QSD8672 планировался на вторую половину
2009 года
, но был отложен
[6]
.
Устройства на чипах QSD8x50 способны декодировать (проигрывать) видео
720p
. Было заявлено, что устройства на чипе QSD8672 способны декодировать видео
1080p
. Кроме того, устройства, построенные на чипе QSD8672, показывали наилучшую на то время производительность при работе с трёхмерной графикой.
В 2018 году была представлена линейка 7xx, призванная заполнить нишу между флагманскими и среднебюджетными устройствами.
В 2021 году на борту марсохода
Perseverance
на
Марс
прибыл роботизированный вертолёт-разведчик
Ingenuity
, ≪сердцем≫ которого является модифицированный Snapdragon 801.
Поколение S1
(2007) использует одноядерные
CPU
Scorpion
, разработанные Qualcomm на основе доработанной архитектуры Cortex-A8 c частотой до 1 ГГц или ARM11 с частотой до 600 МГц. Процессоры используют набор инструкций ARMv7 и ARMv6. Кроме того, в S1 используются графическое ядро Qualcomm
Adreno
вплоть до Adreno 200. Поддерживается запись и воcпроизведение HD-видео 720p, камера до 12 мегапикселей, Wi-Fi, Bluetooth, память
LPDDR1
и другое. В поколение S1 входят микросхемы: QSD8650, QSD8250, MSM7627, MSM7227, MSM7625, MSM7225
[7]
.
Поколение S2
(2010) использует одноядерные CPU
Scorpion
с частотой до 1,9 ГГц с набором инструкций ARMv7,
GPU
Adreno 205, поддерживают память
LPDDR2
. В поколение S2 входят микросхемы: MSM8655, MSM8255, APQ8055, MSM7630, MSM7230
[8]
.
Поколение S3
(2011) содержит
двухъядерные
CPU Scorpion с частотой до 1,7 ГГц (на основе ARM Cortex-A9) с набором инструкций ARMv7, GPU Adreno 220. Поддерживает фотокамеры до 16 мегапикселей, запись и воспроизведение видео качества до 1080p, съёмка 3D. В поколение S3 входят микросхемы: MSM8660, MSM8260, APQ8060
[9]
.
Поколение S4
(2012) представлено двух- и четырёхъядерными CPU Qualcomm под названием ≪
Krait
≫ с набором инструкций ARMv7. Микросхемы S4 включают в себя 2 или 4 CPU Krait, GPU Adreno 225, 305, 320 или 330, встроенный многорежимный (2G/3G/4G) модем, модули GPS, Wi-Fi, Bluetooth 4.0, FM и другие компоненты. Поддерживаются 3 камеры до 20 мегапикселей, запись и воспроизведение видео 1080p, съёмка 3D. Впервые используется
28-нм
процесс для производства чипов, использующих набор инструкций ARMv7. В S4 входят микросхемы: APQ8064, APQ8064T, APQ8060A, MSM8960, MSM8660A, MSM8260A, APQ8030, MSM8930, MSM8630, MSM8230, MSM8627, MSM8227, MSM8625, MSM8225. В некоторых процессорах поколения S4 вместо CPU ≪Krait≫ используются CPU Cortex-A5, произведённые по технологии 45 нм
[10]
.
В январе 2013 года компания Qualcomm предложила
[11]
новую классификацию своих продуктов: Snapdragon 200, 400, 600, 700 и 800. Данные серии включили в себя как актуальные продукты, так и новые, готовящиеся к выходу
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
.
В 4 квартале 2021 года компания Qualcomm объявила об отказе от трехзначной системы нумерации, которую она использовала для своих продуктов
[17]
[18]
.
Основное поколение процессоров
[
править
|
править код
]
Snapdragon 200, 400, 600, 700 и 800
[
править
|
править код
]
Классификация микросхемы
|
Название микросхемы
|
Название
CPU
|
Кол-во ядер,
ядра ARM
, частота
|
GPU
|
Техпроцесс
|
Оперативная память
|
Анонс
|
Qualcomm Snapdragon 2xx
(ультрабюджетная линейка)
|
Snapdragon 200
|
|
4×
Cortex-A5
1,2 ГГц;
4×
Cortex-A7
1,4 ГГц
|
Adreno 302,
Adreno 203
|
28 нм LP, 45 нм LP
|
333 МГц LPDDR2
|
2 кв. 2013
[19]
|
Snapdragon 208
|
|
2× Cortex-A7 1,1 ГГц
|
Adreno 304
|
28 нм LP
|
400 МГц
LPDDR2, LPDDR3
|
|
Snapdragon 210
|
|
4× Cortex-A7 1,1 ГГц
|
Adreno 304
|
28 нм LP
|
533 МГц
LPDDR2, LPDDR3
|
|
Snapdragon 212
|
|
4× Cortex-A7 1,3 ГГц
|
Adreno 304
|
28 нм LP
|
533 МГц
LPDDR2, LPDDR3
|
|
Qualcomm Snapdragon 4xx
(бюджетная линейка)
|
Snapdragon 400
|
Krait
300
|
4× Cortex-A7 1,7 ГГц
|
Adreno 306
|
28 нм
|
533 МГц
LPDDR2, LPDDR3
|
05.12.2012
|
Snapdragon 410
|
|
4× Cortex-A53 1,2 ГГц
|
Adreno 306
|
28 нм LP
|
533 МГц
LPDDR2, LPDDR3
|
09.12.2013
|
Snapdragon 415
|
|
8× Cortex-A53 1,4 ГГц
|
Adreno 405
|
28 нм LP
|
667 МГц LPDDR3
|
02.2015
|
Snapdragon 425
|
|
4× Cortex-A53 1,4 ГГц
|
Adreno 308
|
28 нм LP
|
667 МГц LPDDR3
|
11.02.2016
|
Snapdragon 429
|
|
4× Cortex-A53 1,95 ГГц
|
Adreno 504
|
12 нм FinFET
|
933 МГц LPDDR3
|
26.06.2018
|
Snapdragon 430
|
|
8× Cortex-A53 1,4 ГГц
|
Adreno 505
|
28 нм LP
|
800 МГц LPDDR3
|
15.09.2015
|
Snapdragon 435
|
|
8× Cortex-A53 1,4 ГГц
|
Adreno 505
|
28 нм LP
|
800 МГц LPDDR3
|
11.02.2016
|
Snapdragon 439
|
|
8× Cortex-A53 2 ГГц
|
Adreno 505
|
12 нм FinFET
|
800 МГц LPDDR3
|
26.06.2018
|
Snapdragon 450
|
|
8× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 506
|
14 нм LPP
|
933 МГц LPDDR3
|
28.06.2017
|
Snapdragon 460
|
Kryo
-240
|
4× Cortex-A73 1,8 ГГц;
4× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 610
|
11 нм LPP
|
933 МГц LPDDR3
|
1 кв. 2020
|
Snapdragon 480
[20]
|
Kryo-460
|
2× Cortex-A76 2 ГГц;
6× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 619
|
8 нм
|
2133 МГц LPDDR4X
|
1 кв. 2021
|
Snapdragon 480+
|
Разогнанный до 2,2 Snapdragon 480
|
4 кв. 2021
|
Qualcomm Snapdragon 6xx
(среднебюджетная линейка)
|
Snapdragon 600
|
Krait
-300
|
4× 1,7 ГГц
|
Adreno 320
|
28 нм
|
533 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 610
|
|
4× Cortex-A53 1,7 ГГц
|
Adreno 405
|
28 нм
|
800 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 615 / 616
|
|
8× Cortex-A53 1,7 ГГц
|
Adreno 405
|
28 нм
|
800 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 617
|
|
8× Cortex-A53 1,5 ГГц
|
Adreno 405
|
28 нм
|
933 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 625
|
|
8× Cortex-A53 2 ГГц
|
Adreno 506
|
14 нм
|
933 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 626
|
Разогнанный до 2,2 ГГц Snapdragon 625
|
|
Snapdragon 630
|
|
8× Cortex-A53 2,2 ГГц
|
Adreno 506
|
14 нм
|
1333 МГц LPDDR4
|
|
Snapdragon 632
|
Kryo-250
|
4× Cortex-A73 1,8 ГГц;
4× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 506
|
14 нм
|
933 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 636
|
Kryo-260
|
4× Cortex-A73 1,8 ГГц;
4× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 509
|
14 нм
|
1333 МГц LPDDR4
|
|
Snapdragon 650
|
|
2× Cortex-A72 1,8 ГГц;
4× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 510
|
28 нм HPm
|
933 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 652
|
|
4× Cortex-A72 1,8 ГГц;
4× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 510
|
28 нм HPm
|
933 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 653
|
|
4× Cortex-A72 1,95 ГГц;
4× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 510
|
28 нм HPm
|
933 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 660
|
Kryo-260
|
4× Cortex-A73 2,2 ГГц;
4× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 512
|
14 нм
|
1866 МГц LPDDR4/4X
|
|
Snapdragon 665/662
|
Kryo-260
|
4× Cortex-A73 2 ГГц;
4× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 610
|
11 нм
|
1866 МГц LPDDR4X
|
09.04.2019/
24.01.2020
|
Snapdragon 670
|
Kryo-360
|
2× Cortex-A75 2 ГГц;
6× Cortex-A55 1,7 ГГц
|
Adreno 615
|
10 нм
|
1866 МГц LPDDR4X
|
|
Snapdragon 675
|
Kryo-460
|
2× Cortex-A76 2 ГГц;
6× Cortex-A55 1,7 ГГц
|
Adreno 612
|
11 нм
|
1866 МГц LPDDR4X
|
|
Snapdragon 678
|
Разогнанный до 2,2 ГГц Snapdragon 675
|
4 кв. 2020
|
Snapdragon 680
|
Kryo-265
|
4× Cortex-A73 2,4 ГГц;
4× Cortex-A53 1,8 ГГц
|
Adreno 610
|
6 нм
|
2133 МГц LPDDR4X
|
4 кв. 2021
|
Snapdragon 685
|
Разогнанный до 2,6 Snapdragon 680
|
|
1 кв. 2023
|
Snapdragon 690
|
Kryo-560
|
2× Cortex-A77 2 ГГц;
6× Cortex-A55 1,7 ГГц
|
Adreno 619L
|
8 нм
|
2133 МГц LPDDR4X
|
2 кв. 2020
|
Snapdragon 695
|
Kryo-660
|
2× Cortex-A78 2,2 ГГц;
6× Cortex-A55 1,7 ГГц
|
Adreno 619
|
6 нм
|
2133 МГц
LPDDR4X
|
4 кв. 2021
|
Qualcomm Snapdragon 7xx
(предфлагманская линейка)
|
Snapdragon 710
|
Kryo-360
|
2× Cortex-A75 2,2 ГГц;
6× Cortex-A55 1,7 ГГц
|
Adreno 616
|
10 нм
|
1866 МГц LPDDR4X
|
2 кв. 2018
[21]
|
Snapdragon 712
|
Разогнанный до 2,3 ГГц Snapdragon 710
|
1 кв. 2019
|
Snapdragon 720G
|
Kryo-465
|
2× Cortex-A76 2,3 ГГц;
6× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 618
|
8 нм
|
1866 МГц LPDDR4X
|
1 кв. 2020
|
Snapdragon 730/730G
|
Kryo-470
|
2× Cortex-A76 2,2 ГГц;
6× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 618
|
8 нм
|
1866 МГц LPDDR4X
|
2 кв. 2019
|
Snapdragon 732G
|
Разогнанный до 2,3 ГГц Snapdragon 730G
|
3 кв. 2020
|
Snapdragon 750G
|
Kryo-570
|
2× Cortex-A77 2,2 ГГц;
6× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 619
|
8 нм
|
2133 МГц LPDDR4X
|
3 кв. 2020
|
Snapdragon 765G
|
Kryo-475
|
1× Cortex-A76 2,4 ГГц;
1× Cortex-A76 2,2 ГГц;
6× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 620
|
7 нм
|
2133 МГц LPDDR4X
|
4 кв. 2019
|
Snapdragon 768G
|
Разогнанный до 2,8 ГГц Snapdragon 765G
|
2 кв. 2020
|
Snapdragon 778G
|
Kryo-670
|
1× Cortex-A78 2,4 ГГц;
3× Cortex-A78 2,2 ГГц;
4× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 642L
|
6 нм
|
3200 МГц LPDDR5
|
2 кв. 2021
|
Snapdragon 778G+
|
Разогнанный до 2,5 ГГц Snapdragon 778G
|
3200 МГц LPDDR5
|
4 кв. 2021
|
Snapdragon 780G
|
Kryo-670
|
1× Cortex-A78 2,4 ГГц;
3× Cortex-A78 2,2 ГГц;
4× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 642
|
5 нм
|
2133 МГц LPDDR4X
|
1 кв. 2021
|
Snapdragon 782G
|
Разогнанный до 2,7 ГГц Snapdragon 778G+
|
|
4 кв. 2022
|
Qualcomm Snapdragon 8xx
(флагманская линейка)
|
Snapdragon 800 (MSM8974)
|
Krait-400
|
4× 2,3 ГГц
|
Adreno 330
|
28 нм HPm
|
800 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 801 (MSM8974-AC)
|
Разогнанный до 2,45 ГГц Snapdragon 800
|
Snapdragon 805 APQ8084
|
Krait-450
|
4× 2,7 ГГц
|
Adreno 420
|
28 нм HPm
|
800 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 808 MSM8992
|
|
2× Cortex-A57 2,0 ГГц;
4× Cortex-A53 1,5 ГГц
|
Adreno 418
|
20 нм
|
933 МГц LPDDR3
|
|
Snapdragon 810 MSM8994
|
|
4× Cortex-A57 2,0 ГГц;
4× Cortex-A53 1,5 ГГц
|
Adreno 430
|
20 нм HPm
|
1600 МГц LPDDR4
|
|
Snapdragon 820 MSM8996
|
Kryo
|
2× 2,2 ГГц;
2× 1,6 ГГц
|
Adreno 530
|
14 нм FinFET LPP
|
1866 МГц LPDDR4
|
4 кв. 2015
|
Snapdragon 821 MSM8996 Pro
|
Разогнанный до 2,4 ГГц Snapdragon 820
|
3 кв. 2016
|
Snapdragon 835 MSM8998
|
Kryo-280
|
4× Cortex-A73 2,45 ГГц;
4× Cortex-A53 1,9 ГГц
|
Adreno 540
|
10 нм FinFET LPE
Samsung
[22]
|
1866 МГц LPDDR4x
|
4 кв. 2016
|
Snapdragon 845
|
Kryo-385
|
4× Cortex-A75 2,8 ГГц;
4× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 630
|
10-нм FinFET
Samsung
|
1866 МГц LPDDR4x
|
4 кв. 2017
|
Snapdragon 850
|
Настольная версия Snapdragon 845, разогнанная до 2,96 ГГц
|
12.02.2018
|
Snapdragon 855
|
Kryo-485
|
1× Cortex-A76 2,84 ГГц;
3× Cortex-A76 2,42 ГГц;
4× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 640
|
7 нм (TSMC N7)
|
2133 МГц
4x16bit, LPDDR4x
|
4 кв. 2018
|
Snapdragon 855+
|
Разогнанный до 2,96 ГГц Snapdragon 855
|
2 кв. 2019
|
Snapdragon 860
|
Обновленная версия Snapdragon 855+
|
1 кв. 2021
|
Snapdragon 865
|
Kryo-585
|
1× Cortex-A77 2,84 ГГц;
3× Cortex-A77 2,42 ГГц;
4× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 650
|
7 нм (TSMC N7P)
|
2750 МГц
4x16bit, LPDDR5
|
4 кв. 2019
|
Snapdragon 865+
|
Разогнанный до 3,1 ГГц Snapdragon 865
|
2 кв. 2020
|
Snapdragon 870
|
Разогнанный до 3,2 ГГц Snapdragon 865+
|
1 кв. 2021
|
Snapdragon 888
|
Kryo 680
|
1× Cortex-X1 2,84 ГГц;
3× Cortex-A78 2,42 ГГц;
4× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 660
|
5 нм (Samsung 5LPE)
|
LPDDR5 3200 МГц
|
4 кв. 2020
|
Snapdragon 888+
|
Разогнанный до 3 ГГц Snapdragon 888
|
2 кв. 2021
|
Классификация микросхемы
|
Название
микросхемы
|
Архитектура
|
CPU
: Кол-во ядер,
ядра ARM
, частота
|
GPU
|
Техпроцесс
|
Оперативная память
|
Анонс
|
Qualcomm Snapdragon 4 Gen X
(бюджетная линейка)
|
Snapdragon 4 Gen 1 (SM4375)
|
ARMv8
|
2× Cortex-A78 2,0 ГГц;
6× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 619
|
6 нм TSMC
|
LPDDR4x 2133 МГц
|
3 кв. 2022
|
Qualcomm Snapdragon 6 Gen X
(среднебюджетная линейка)
|
Snapdragon 6 Gen 1 (SM6450)
|
4× Cortex-A78 2,2 ГГц;
4× Cortex-A55 1,8 ГГц
|
Adreno 710
|
4 нм (Samsung 4LPE)
|
LPDDR5 3200 МГц
|
3 кв. 2022
|
Qualcomm Snapdragon 7 Gen X
(предфлагманская линейка)
|
Snapdragon 7s Gen 2 (SM7435-AB)
|
ARMv8.2-A
|
4× Cortex-A78 2,4 ГГц;
4× Cortex-A55 1,95 ГГц
|
Adreno 710
|
4 нм (Samsung 4LPE)
|
LPDDR5 3200 МГц
|
3 кв. 2023
|
Snapdragon 7 Gen 1 (SM7450-AB)
|
ARMv9
|
1× Cortex-A710 2,4 ГГц;
3× Cortex-A710 2,36 ГГц;
4× Cortex-A510 1,8 ГГц
|
Adreno 662
|
4 нм (Samsung 4LPE)
|
LPDDR5 3200 МГц
|
2 кв. 2022
|
Snapdragon 7 + Gen 2 (SM7475-AB)
|
1× Cortex-X2 2.91 ГГц;
3× Cortex-A710 2.49 ГГц;
4× Cortex-A510 1.8 ГГц
|
Adreno 725
|
4 нм (TSMC N4)
|
LPDDR5 3200 МГц
|
1 кв. 2023
|
Qualcomm Snapdragon 8 Gen X
(флагманская линейка)
|
Snapdragon 8 Gen 1 (SM8450)
|
1× Cortex-X2 3,0 ГГц;
3× Cortex-A710 2,5 ГГц;
4× Cortex-A510 1,8 ГГц
|
Adreno 730 818 МГц
|
4 нм (Samsung 4LPE)
|
LPDDR5 3200 МГц
|
4 кв. 2021
|
Snapdragon 8+ Gen 1 (SM8475)
|
1× Cortex-X2 3,2 ГГц;
3× Cortex-A710 2,75 ГГц;
4× Cortex-A510 2,0 ГГц
|
Adreno 730
|
4 нм (TSMC N4)
|
LPDDR5 3200 МГц
|
2 кв. 2022
|
Snapdragon 8 Gen 2 (SM8550)
|
1× Cortex-X3 3,2 ГГц;
2× Cortex-A715 2,8 ГГц;
2× Cortex-A710 2,8 ГГц;
3× Cortex-A510 2,0 ГГц
|
Adreno 740
|
4 нм (TSMC)
|
LPDDR5x 4200 МГц
|
4 кв. 2022
|
Snapdragon 8s Gen 3 (SM8635)
|
1× Cortex-X4 3,0 ГГц;
4× Cortex-A720 2,8 ГГц;
3× Cortex-A520 2.0 ГГц
|
Adreno 735
|
4 нм (TSMC)
|
LPDDR5x 4200 МГц
|
1 кв. 2024
|
Snapdragon 8 Gen 3 (SM8650-AB)
|
1× Cortex-X4 3,3 ГГц;
3× Cortex-A720 3,2 ГГц;
2× Cortex-A720 3,0 ГГц;
2× Cortex-A520 2,3 ГГц
|
Adreno 750
|
4 нм (TSMC)
|
LPDDR5x 4800 МГц
|
4 кв. 2023
|