Origem: Wikipedia, a enciclopedia livre.
| Tipos de memorias de computadores e
armazenamento de dados
|
|---|
|
|
|
Volatil
|
|---|
- Cache de
hardware
- DRAM
- SRAM
- ReRAM
- QRAM
- Memoria enderecavel por conteudo (
CAM
)
- VRAM
- RAM
de porta dupla
|
|
|
|
Nao volatil
|
|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
Optico
- Armazenamento optico
3D
de dados
- WORM
|
|
|
|
|
|
MRAM
(acronimo para
Magneto-resistive Random Access Memory
- em
portugues
, memorias magnetorresistivas de acesso aleatorio) e uma memoria de computador nao-volatil, considerada chave para a criacao das novas geracoes de equipamentos moveis de alto desempenho. Sao um tipo de
memorias
de
computador
nao-volateis (
NVRAM
) que tem sido desenvolvidas desde a
decada de 1990
.
Estas memorias ainda estao em fase de teste e possbilitariam que por exemplo: Voce iniciasse seu computador sem ter que esperar pelo boot. Ele ligaria exatamente do modo que parou e sem ter de esperar por toda a inicializacao. Mas ainda ha problemas quanto a dados que se corrompem muito facilmente. Talvez em mais uns 10 ou 15 anos, sera a sucessora da eventual DDR.
O desenvolvimento se baseia em uma nova celula de memoria que reduz pela metade o consumo de energia durante o processo de escrita de dados, uma nova arquitetura com caracteristicas de alta velocidade e excelente desempenho. Os dois avancos permitirao o desenvolvimento de dispositivos de alta densidade baseados na tecnologia magneto-resistiva. Outras tecnologia parecidas ate agora consumiam muita energia e eram baseadas em celulas - as unidades individuais de armazenamento dos dados.
As empresas
Nec
e
Toshiba
conseguiram reduzir o consumo de energia criando um novo formato para a juncao de tunelamento magnetico que armazena a informacao. Ao inves de ser retangular, a nova juncao possui saliencias laterais em arco no centro. A corrente necessaria para a escrita foi reduzida, alem de proporcionar a reducao no numero de erros de escrita, mesmo se houver flutuacoes nas caracteristicas de chaveamento de cada celula.
As pesquisas ate hoje produziram duas propostas basicas para as estruturas das MRAM. A primeira acopla cada celula a um
transistor
, o que melhora o tempo de leitura, mas aumenta o tamanho da celula. Na segunda proposta, chamada de estrutura de ponto cruzado, o transistor e retirado de cada celula individual, o que reduz o tamanho da celula, mas aumenta o tempo de leitura e o numero de erros, devido a geracao de correntes de ladrao, que se dirigem para celulas nao desejadas.
A nova MRAM utiliza uma estrutura de ponto cruzado na qual um transistor controla quatro celulas. Com isto as celulas tem o mesmo tamanho que as celulas das memorias
RAM
convencionais, e o tempo de leitura ficou em torno de 250ns, quatro vezes mais rapido do que as MRAM com a estrutura convencional.
