Programm?jama tikai las?ma atmi?a ( ang?u : programmable read-only memory ? PROM ) ir las?matmi?as atmi?as veids, kur? katra bita iestat??anai tiek izmantoti dro?in?t?ji, iestat?tie biti ir patst?v?gi un tos nevar main?t. PROM izmanto digit?laj?s elektroniskaj?s ier?c?s, lai uzglab?tu past?v?gus datus, parasti zema l?me?a programmas, piem?ram, programmaparat?ru vai mikrokodu. Galven? at??ir?ba no standarta ROM ir t?, ka ra?o?anas laik? dati tiek ierakst?ti ROM , savuk?rt ar PROM dati tajos tiek ieprogramm?ti p?c izgatavo?anas. T?d?j?di ROM parasti izmanto tikai lieliem ra?o?anas cikliem ar labi p?rbaud?tiem datiem, savuk?rt PROM tiek izmantoti, lai ?autu programmat?ru izstr?d?t?jiem p?rbaud?t datus uz ier??u apak?kopu, pirms datu ierakst??anas vis?s ier?c?s.

Tuk??s PROM mikrosh?mas tiek ieprogramm?tas, izmantojot ier?ce, ko sauc par PROM programm?t?ju . ??s tehnolo?ijas pieejam?ba ?auj uz??mumiem patur?t kr?jumos tuk?u PROM un ieprogramm?t tos p?d?j? br?d?, lai izvair?tos no liela apjoma saist?b?m. ??da veida atmi?as bie?i tiek izmantotas mikrokontrolieros , videosp??u konsol?s , mobilajos t?lru?os , radiofrekven?u identifik?cijas ier?c?s, implant?jam?s medic?nas ier?c?s un daudzos citos pla?a pat?ri?a un automobi?u elektronikas izstr?d?jumos.

EPROM ( erasable programmable PROM ) ir ?pa?s PROM veids, kuru var izdz?st, pak?aujot to ultravioletajai gaismai, kad tas ir izdz?sts, to ir iesp?jams p?rprogramm?t.

Past?v ar? EEPROM ( electrically erasable PROM ) PROM atmi?as veids. ??s atmi?as var izdz?st un ar? p?rprogramm?t, izmantojot piem?rotu programm??anas ier?ces.

V?sture [ labot ?o sada?u | labot pirmkodu ]

PROM 1956. gad? izgudroja , kas ??va lietot?jiem prec?zi vienu reizi ieprogramm?t t? saturu, fiziski mainot t? strukt?ru, izmantojot augstsprieguma impulsus.. ^{[1] [2]} Izgudrojums tika izstr?d?ts p?c Amerikas Savienoto Valstu Gaisa sp?ku piepras?juma, lai izstr?d?tu elast?g?ku un dro??ku veidu, k? glab?t m?r?a konstantes Atlas E/F ICBM digit?laj? dator?. Patenti un ar tiem saist?t?s tehnolo?ijas vair?kus gadus tika tur?tas slepen?b?, kam?r Atlas E/F bija galven? Amerikas Savienoto Valstu ICBM sp?ku darb?bas ra?ete. Termins "dedzin??ana", kas attiecas uz PROM programm??anas procesu, ir ietverts s?kotn?j? patent?, jo viens no s?kotn?jiem ?stenojumiem bija veidot ??des p?rtraukumus, sadedzinot diodes iek??jos savienojumus, izmantojot str?vas p?rslodzi. Pirm?s PROM programm??anas iek?rtas izstr?d?ja Arma in?enieri un t?s atrad?s Arma's Garden City laboratorij? un Gaisa sp?ku strat??isk?s gaisa pav?lniec?bas (SAC) ?t?b?.

Vienreiz programm?jama ( ang?u :One time programmable ? OTP) atmi?a ir ?pa?s past?v?gas atmi?as veids, kas ?auj ierakst?t datus atmi?? tikai vienu reizi. Kad atmi?a ir ieprogramm?ta, t? saglab? savu v?rt?bu pat ja tiek zaud?ta str?va. OTP atmi?a tiek izmantota lietojumprogramm?s, kur nepiecie?ama uzticama un atk?rtojama datu nolas??ana. Piem?ri ietver ?ifr??anas atsl?gas un konfigur?cijas parametrus sensoriem un displeja sh?m?m.

Komerci?li pieejamie pusvad?t?ju OTP atmi?as bloki ir biju?i kop? 1969. gada, kur s?kotn?j?s dro?in?t?ju bitu elementi bija atkar?gi no kondensatoru izdeg?anas starp savienot?jl?nij?m. Texas Instruments 1979. gad? izstr?d?ja oks?da sadal?t?ju dro?in?t?jiem. ^[3] 1982. gad? tika izgatavots divu v?rtu oks?da du?l? tranzistora (2T) MOS dro?in?t?js. ^[4] Agr?n?s oks?du sadal??an?s tehnolo?ij?s bija da??das m?rogo?anas, programm??anas, izm?ra un ra?o?anas probl?mas, kas ne??va uz ??m tehnolo?ij?m balst?tas atmi?as ier??u apjoma ra?o?anu.

Kaut ar? uz dro?in?t?jiem balst?ti PROM ir bijusi pieejama gadu desmitiem, tie nebija pieejami standarta CMOS l?dz 2001. gadam, kad Kilopass Technology Inc patent?ja 1T, 2T un 3,5T dro?in?t?ju bitu ??nu tehnolo?ijas, izmantojot standarta CMOS procesu, ?aujot PROM integr?t lo?isk?s CMOS mikrosh?m?s.

Programm??ana [ labot ?o sada?u | labot pirmkodu ]

Standarta PROM pirms programm??anas ir ar vis?m bitu v?rt?b?m, kas ir vien?das ar "1". Ja programm??anas laik? tiek sadedzin?ts dro?in?t?js, bits tiek t?l?k nolas?ts k? “0”. Atmi?u var ieprogramm?t tikai vienu reizi p?c izgatavo?anas, “sadedzinot” dro?in?t?jus, kas ir neatgriezenisks process. Bitu ??nu ieprogramm?, izmantojot augstsprieguma impulsu, lai sadal?tu oks?du starp savienojumu un substr?tu. Pozit?vais spriegums uz tranzistora ieeju veido inversijas kan?lu substr?t? zem savienojuma, izraisot tunel??anas str?vas pl?smu caur oks?du. Str?va rada papildus slazdus oks?d?, palielinot str?vu caur oks?du un galu gal? kaus?jot oks?du, veidojot vado?u kan?lu no v?rtiem uz substr?tu. Vado?? kan?la veido?anai nepiecie?am? str?va ir aptuveni 100 μA / 100 nm ² . ^[5]

Atsauces [ labot ?o sada?u | labot pirmkodu ]

1. ↑ Han-Way Huang. Embedded System Design with C805 . Cengage Learning, 2008. 22. lpp. ISBN   978-1-111-81079-5 .
2. ↑ Marie-Aude Aufaure, Esteban Zimanyi. Business Intelligence: Second European Summer School . Brussels, Belgium : Springer, 2012. 136 . lpp. ISBN   978-3-642-36318-4 .
3. ↑ ≪US Patent 4184207 - High density floating gate electrically programmable ROM≫ . Arhiv?ts no ori?in?la , laiks: 2018. gada 27. apr?l?.
4. ↑ ≪Chip Planning Portal - 1T OTP Memory: Delivering Quality and Reliability≫ .
5. ↑ Ibrahim, Dogan,. PIC32 microcontrollers and the digilent chipKIT : introductory to advanced projects (1st ed izd.). Oxford. ISBN   978-0-08-099935-7 . OCLC   897881148 .