Straipsnis i? Vikipedijos, laisvosios enciklopedijos.
Algis Jurgis Kundrotas
(g.
1950
m.
liepos 15
d.
U??u??iai
,
?ilut?s raj
.) ?
Lietuvos
fizikas, habilituotas fizini? moksl? daktaras, profesorius.
1972
m. baig?
Vilniaus pedagogin? institut?
.
1999
m. habilituotas fizini? moksl? daktaras.
Nuo
1980
m. dirbo Puslaidininki? fizikos institute; nuo
2001
m. vyr. mokslo darbuotojas, nuo
2002
m. taip pat d?st?
Vilniaus Gedimino technikos universitete
prof. pareigose.
Mokslini? tyrim? sritys: puslaidininki? fizika, optin? elektronika ir spektroskopija, puslaidininkini? ?vairialy?i? darini? kvantiniai rei?kiniai, puslaidininkini? darini? s?veika su branduolin?mis dalel?mis, fizikini? rei?kini? kompiuterinis modeliavimas, trupmeninio matumo erdv?s kvantin? fizika ir jos taikymas nanodariniams.
[1]
- B. Kundrotas, A.J. Kundrotas, Modern Car Handbook, Vilnius (2020), p.-242
ISBN 978-609-475-496-8
[2]
- A. Dargys, J. Kundrotas,
Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP
, Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers (1994) p. 262
- J. Kundrotas, GaAs/AlGaAs technologija, Puslaidininki? fizikos institutas, Vilnius
(1999)
p. 114
- J. Kundrotas, GaAs/AlGaAs savyb?s, Puslaidininki? fizikos institutas, Vilnius
(2001
) p. 168
- Kai kurie moksliniai straipsniai:
- 1. J. Kundrotas, A. ?er?kus, S. A?montas, G. Valu?is, B. Sherliker, M. P. Halsall, M. J. Steer, E. Johannessen, and P. Harrison, Excitonic and impurity-related optical transitions in beryllium δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells: Fractional-dimensional space approach, Phys. Rev. B, V. 72, No 23, 235322 (11) (2005).
- 2. J. Kundrotas, A. ?er?kus, S.A?montas, G. Valu?is, M. P. Halsall, E. Johannessen, P. Harison, Impurity-induced Huang-Rhys factor in beryllium δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells: fractional-dimensional approach, Semicond. Sci. Technol., V. 22, No 9, p. 1070-1076 (2007).
- 3. J. Kundrotas, A. ?er?kus, G. Valu?is, L.H. Li, E.H. Linfield, A. Johannessen, E. Johannessen,. Light emission lifetimes in p-type δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells near the Mott transition, J.Appl. Phys., V. 112, No 4, p. 043105-1-5 (2012).
- 4. J. Kundrotas, A. ?er?kus, G. Valu?is, E.H. Linfield, E. Johannessen, A. Johannessen, Dynamics of free carriers-neutral impurity related optical transitions in Be and Si δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells: Fractional-dimensional space approach, Lithuanian J. Phys., Vol. 54, No 4, p. 233-243 (2014).
http://www.samogit.lt/KULTURA/J_Kundrotas.htm
Archyvuota kopija
2016-03-03 i?
Wayback Machine
projekto.