La magnetorresistencia es una propiedad que tienen ciertos materiales de variar su resistencia electrica cuando son sometidas a un campo magnetico . ^{[ 1 ]} ​

Este efecto fue descubierto por William Thomson en 1857, aunque no fue capaz de disminuir la resistencia en mas de un 5 % (hoy en dia se llega hasta al 600 %). ^{[ 2 ]} ​

Las investigaciones recientes han permitido descubrir materiales que presentan efecto MRG (‘magnetorresistencia gigante’), efecto MRC (‘magnetorresistencia colosal’) y efecto TMR (‘magnetorresistencia de tunel’).

Tanto la MG como la MRG se basan en el espin de los electrones y por eso forman parte de la espintronica.

Los ordenadores y computadoras actuales hacen uso de esta propiedad. Los discos duros utilizan bien magnetorresistencia, bien magnetorresistencia gigante . Las cabezas lectoras de los discos duros estan compuestas por un grupo de elementos tal que su resistencia electrica depende del campo magnetico. ^{[ 3 ]} ​ Los bits en un disco duro se guardan como un pequeno iman. La cabeza de lectura electrica tiene una resistencia electrica (MR) que varia cuando pasa por encima del ≪iman pequeno≫ que es un bit. Por tanto, cuando un bit pasa por debajo de la cabeza lectora hay una variacion de la resistencia que puede detectarse facilmente.

Referencias [ editar ]