[앵커]
삼성전자와 SK하이닉스가 次世代 메모리 市場 競爭에 나서고 있습니다. 生成型 人工知能(AI) 擴散 速度가 빨라지면서 當初 計劃보다 次世代 製品 量産 時機를 1年假量 앞당기고 있는 雰圍氣데요. 윤혜림 記者입니다.
[記者]
삼성전자와 SK하이닉스가 새로운 메모리 製品 開發 로드맵을 밝혔습니다.
삼성전자는 다음 달 美國 하와이에서 열리는 半導體學會 ‘VLSI 심포지엄’에서 새로운 3D 낸드플래시 開發 現況을 公開할 豫定입니다.
3D 낸드는 垂直으로 셀(cell)을 쌓아 旣存 平面 낸드보다 速度가 빠르고 容量을 늘릴 수 있습니다.
다만 層을 높일 때, 層 사이에 偏差가 發生해 耐久性이 弱化되는 短點이 있는데, 이를 解決하기 위해 强誘電體라는 新素材를 使用한다는 겁니다.
强誘電體를 使用할 境遇 薄膜을 더 얇고 剛하게 만들 수 있어 安定性을 높이고 칩 性能을 改善시킬 수 있을 展望입니다.
三星電子는 數年 내 1,000段對 낸드 開發을 目標로 技術開發에 集中하고 있습니다. 이番 심포지엄에선 來年에 선보일 400段對 낸드 製品 開發 現況과 함께 中長期 메모리 開發 計劃을 公開할 것으로 觀測됩니다.
SK하이닉스는 高帶域幅 메모리 開發에 集中하고 있습니다. 어제(13日) 서울 廣津區 그랜드워커힐 호텔에서 열린 國際메모리워크숍(IMW 2024)에서 7世代 高帶域幅메모리(HBM)인 ‘HBM4E’ 開發을 이르면 2026年 完了할 計劃이라고 밝혔습니다.
SK하이닉스는 HBM4E에 10나노級 6世代(1c) D램을 처음으로 HBM 製造에 適用할 것으로 알려졌습니다. 이렇게 되면 以前 世代 對備 帶域幅은 1.4倍, 集積度는 1.3倍, 電力 效率은 30% 改善될 것으로 豫想됩니다.
이날 SK하이닉스는 D램을 더 많이 쌓을 수 있는 ‘하이브리드 本딩’ 技術도 硏究 中이라고 밝힌 만큼 HBM 市場 優位를 維持하기 위한 次世代 技術 開發 競爭은 더욱 熾烈해질 展望입니다.
서울經濟TV 윤혜림입니다. /grace_rim@sedaily.com
[映像編輯 김가람]