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兩極性 接合 트랜지스터 ( 英語 : bipolar junction transistor )는 1947年 벨 硏究所 에서 존 바딘 , 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리 에 依해 發明되었다. 眞空管 은 電子回路 具現에서 크기와 消耗前歷 그리고 耐久性에 問題가 많다. 特히 스위치 槪念을 適用할 때, 많은 素子가 必要한데 空間의 限界가 問題가 된다. 그래서 半導體 를 利用한 스위치의 必要性이 擡頭되어 開發되었다.

스위치란 結局 電流를 흐르게 하느냐, 흐르지 못하게 하느냐이다. 素子의 크기와 電力 面에서 半導體를 利用하면 이 問題가 解決된다. 半導體는 n型과 p兄이 있으므로 이것에 制御用 電極을 붙이면 된다. n型의 막대 中間에 制御 電極을 붙이는 方法은 p型을 中間에 끼워 넣는 方法밖에 없다. p兄이라면 n型을 넣으면 電流 制御가 可能해진다. 이렇게 中間에 制御用으로 揷入된 電極이 베이스(Base)가 된다. 베이스의 制御 信號는 電流에 따라 制御가 決定된다. 入力 制御 電流의 몇 倍 電流가 흘러 스위치 機能이 實現된다. 普通 電子工學에서 信號 處理는 電壓으로 表現된다. 卽, 電壓을 增幅하거나 스위치한다. 베이스의 電壓으로 制御할 수 있으면 좋았겠으나, 스위치 機能의 具現이 優先이었을 것이다. 나중에 電壓을 制御用 入力 信號로 하는 素子인 전계효과 트랜지스터 (FET)가 開發되었다.

오늘날 集積回路 에서 CMOS 使用의 選好로 인해 關心과 使用이 줄어들고 있으나, 이山回로 等에서 接合型 트랜지스터의 性質이 잘 알려져 있고 다양한 小子 選擇이 可能해 如前히 널리 使用되고 있다.