メモリ?容量が4倍に、三星電子が大容量の「CXL?Dラム」を開?
Posted May. 11, 2022 08:59,
Updated May. 11, 2022 08:59
メモリ?容量が4倍に、三星電子が大容量の「CXL?Dラム」を開?.
May. 11, 2022 08:59.
by 宋忠炫 balgun@donga.com.
三星(サムスン)電子は10日、次世代Dラムに?げられる「コンピュ?タエクスプレスリンク」(CXL)基盤の512GB(ギガバイト)Dラムを開?したと?表した。昨年5月に世界で初めてCXL基盤のDラム技術を開?したのに?き、業界で初めて大容量CXL?Dラムを披露したのだ。CXLは、複?のインタ?フェ?スを統合することで、高性能コンピュ?ティングシステムに入る中央?理?置(CPU)や加速器、保存?置などが互いに直接通信できるように設計された。三星電子が開?したCXL?Dラムは、CPUの追加?設なしにDラムの容量を?やすことができ、??比メモリ?容量が4倍向上した。これを適用すれば、サ?バ?1台?たりのメモリ?容量を?十TB(テラバイト)以上に?張できると、三星電子は?明した。三星電子は今月中に、「スケ?ラブルメモリ?開?キット(SMDK)」のアップデ?トバ?ジョンを、オ?プンソ?スで公開する方針だ。開?者たちが、多?な?用環境で、CXL?DRAM技術を活用するプログラムを開?するよう支援するためだ。SMDKは、??搭載されたメインメモリとCXLメモリが最適な環境で動作するよう支援するソフトウェア(SW)開?ツ?ルだ。三星電子の?係者は、「CXLメモリ?ソリュ?ションを?大し、次世代メモリ?市場を主導していきたい」と話した。
韓國語
三星(サムスン)電子は10日、次世代Dラムに?げられる「コンピュ?タエクスプレスリンク」(CXL)基盤の512GB(ギガバイト)Dラムを開?したと?表した。昨年5月に世界で初めてCXL基盤のDラム技術を開?したのに?き、業界で初めて大容量CXL?Dラムを披露したのだ。
CXLは、複?のインタ?フェ?スを統合することで、高性能コンピュ?ティングシステムに入る中央?理?置(CPU)や加速器、保存?置などが互いに直接通信できるように設計された。三星電子が開?したCXL?Dラムは、CPUの追加?設なしにDラムの容量を?やすことができ、??比メモリ?容量が4倍向上した。これを適用すれば、サ?バ?1台?たりのメモリ?容量を?十TB(テラバイト)以上に?張できると、三星電子は?明した。
三星電子は今月中に、「スケ?ラブルメモリ?開?キット(SMDK)」のアップデ?トバ?ジョンを、オ?プンソ?スで公開する方針だ。開?者たちが、多?な?用環境で、CXL?DRAM技術を活用するプログラムを開?するよう支援するためだ。SMDKは、??搭載されたメインメモリとCXLメモリが最適な環境で動作するよう支援するソフトウェア(SW)開?ツ?ルだ。三星電子の?係者は、「CXLメモリ?ソリュ?ションを?大し、次世代メモリ?市場を主導していきたい」と話した。
宋忠炫 balgun@donga.com
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